Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
3.797 Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
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| N. parte | Prezzo | Scorte | Produttore | Categoria | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Surge Current Rating - (A) | Material | Configuration | Channel Type | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Minimum DC Current Gain | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Frequency Band | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Output Capacitance - (pF) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Drain-Source Resistance - (Ohm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Noise Figure - (dB) | Maximum Turn-On Time - (ns) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM3K37MFV,L3F
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
|
Scorte
19.392
Da $0.0166 a $0.0199
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 0.25 | 12@10V | 150 | 2200@4.5V | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6N815R,LF(T
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2A 6-Pin TSOP-F T/R
|
Scorte
1.000
Da $0.166 a $0.317
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Dual | N | Enhancement | 2 | 100 | ±20 | 2 | 3.1@4.5V | 290@15V | 1800 | 103@10V | 6 | TSOP-F | SO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK9P65W,RQ
Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
Scorte
1.864
$0.646
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 9.3 | 20@10V | 20 | 700@300V | 80000 | 560@10V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS378(TE85L,F)
Diode Small Signal Schottky 15V 0.2A 3-Pin USM T/R
|
Scorte
2.025
Da $0.0663 a $0.137
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Small Signal Schottky Diode | Dual Common Cathode | 15 | 0.2 | 1 | 0.5@0.1A | 20 | 100 | Tape and Reel | 3 | USM | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1401,LF
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
6.000
Da $0.032 a $0.0363
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | NPN | Single | 50 | 0.1 | 4.7 | 1 | 30@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | 200 | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
RN1114MFV,L3F(T
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R
|
Scorte
5.890
Da $0.0239 a $0.075
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | NPN | Single | 50 | 0.1 | 1 | 0.1 | 50@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | 150 | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS382(TE85L,F)
Diode Switching 85V 0.1A 4-Pin USQ T/R
|
Scorte
1.036
Da $0.114 a $0.314
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Dual Parallel | 85 | 0.1 | 2 | 1.2@0.1A | 0.5 | 4 | 100 | Tape and Reel | 4 | USQ | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH9R00CQH,LQ(M1
Trans MOSFET N-CH Si 150V 108A 8-Pin SOP Advance T/R
|
Scorte
4.770
Da $1.04 a $3.09
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 150 | ±20 | 108 | 36@8V|44@10V | 44 | 3500@75V | 3000 | 9@10V | Tape and Reel | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HN4C51J(TE85L,F)
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
|
Scorte
2.139
Da $0.169 a $0.578
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Dual Common Base | 120 | 120 | 2 | 5 | 0.1 | 200@2mA@6V | 200 to 300 | 0.3@1mA@10mA | 300 | Tape and Reel | 5 | SMV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMS04(TE12L,Q,M)
Diode Schottky 30V 5A 2-Pin M-FLAT T/R
|
Scorte
22.070
Da $0.2741 a $0.2784
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 30 | 5 | 70 | 0.37 | 8000 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SA2060(TE12L,F)
Trans GP BJT PNP 50V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
|
Scorte
113
Da $0.274 a $0.563
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Power | Si | Single Dual Collector | 50 | 50 | 1 | 7 | 1.1@0.033A@1A | 2 | 200@0.3A@2V|100@1A@2V | 50 to 120|120 to 200|200 to 300 | 0.2@0.033A@1A | 2500 | Tape and Reel | 4 | PW-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K37CT,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
|
Scorte
9.010
Da $0.0509 a $0.0566
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 0.2 | 12@10V | 100 | 2200@4.5V | Tape and Reel | 3 | CST | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK110U65Z,RQ
Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
|
Scorte
1.960
$1.701
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Hex Source | N | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 4 | 24 | 40@10V | 40 | 2250@300V | 190000 | 110@10V | DTMOSVI | Tape and Reel | 9 | TOLL | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK7R4A15Q5,S4X
Silicon N-channel MOSFET
|
Scorte
394
Da $1.71 a $1.917
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1106,LF(CT
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
|
Scorte
998
Da $0.0324 a $0.101
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | NPN | Single | 50 | 0.1 | 4.7 | 0.1 | 80@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | 100 | Tape and Reel | 3 | SSM | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK170V65Z,LQ(S
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 5-Pin DFN EP
|
Scorte
2.400
Da $1.45 a $3.39
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Single Triple Source | N | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 18 | 29@10V | 1635@300V | 150000 | 170@10V | 5 | DFN EP | DFN | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SA1162-GR,LF(T
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
1.193
Da $0.0376 a $0.0958
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Small Signal | Si | Single | 50 | 50 | 1 | 5 | 0.15 | 0.3@10mA@100mA | 4 | 150 | 10 | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | Unknown | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK5R1E06PL,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
Scorte
49
Da $0.612 a $0.775
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 98 | 18@4.5V|36@10V | 2380@30V | 87000 | 5.1@10V | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC5976(TE85L,F)
Trans GP BJT NPN 30V 3A 625mW 3-Pin TSM T/R
|
Scorte
367
Da $0.0878 a $0.106
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 30 | 50 | 1 | 6 | 1.1@33mA@1A | 3 | 250@0.3A@2V|120@1A@2V | 120 to 200|200 to 300 | 0.14@33mA@1A | 625 | Tape and Reel | 3 | TSM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
HN4C06J-GR(TE85L,F
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
|
Scorte
5
$0.507
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Dual Common Emitter | 120 | 120 | 2 | 5 | 0.1 | 200@2mA@6V | 200 to 300 | 0.3@1mA@10mA | 300 | Tape and Reel | 5 | SMV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6K781G,LF(S
Trans MOSFET N-CH Si 12V 7A 6-Pin WCSP-C T/R
|
Scorte
1.800
Da $0.20 a $0.555
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Triple Drain Dual Source | N | Enhancement | 1 | 12 | ±8 | 1 | 7 | 5.4@4.5V | 600@6V | 2900 | 18@4.5V | Tape and Reel | 6 | WCSP-C | CSP | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TRS8E65F,S1Q(S
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220-L Tube
|
Scorte
49
Da $20.60 a $27.20
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | SiC | Single | 650 | 8 | 69 | 1.6 | 40 | Tube | 2 | TO-220-L | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6J215FE(TE85L,F
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.4A 6-Pin ES T/R
|
Scorte
4.000
Da $0.162 a $0.389
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single Quad Drain | P | Enhancement | 1 | 20 | ±8 | 1 | 3.4 | 10.4@4.5V | 630@10V | 500 | 59@4.5V | Tape and Reel | 6 | ES | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SA1162-GR,LXGF(T
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
1.095
Da $0.0392 a $0.123
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Small Signal | Si | Single | 50 | 50 | 1 | 5 | 0.15 | 200@2mA@6V | 200 to 300 | 0.3@10mA@100mA | 4 | 150 | 10 | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
RN2116MFV,L3F(T
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R
|
Scorte
8.000
Da $0.0239 a $0.075
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | PNP | Single | 50 | 0.1 | 4.7 | 0.47 | 50@10mA@5V | 0.3@0.5mA@5mA | 150 | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No |