Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors

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8.154 Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors

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N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Breakover Voltage - (V) Category Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Material Frequency Band Channel Type Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Configuration Channel Mode Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Number of Elements per Chip Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Continuous Forward Current - (mA) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Peak On-State Voltage - (V) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Rated Average On-State Current - (A) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance RMS On-State Current - (A) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Input Capacitance - (pF) Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Typical Power Gain - (dB) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Breakover Voltage - (V) Category Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Material Frequency Band Channel Type Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Configuration Channel Mode Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Number of Elements per Chip Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Continuous Forward Current - (mA) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Peak On-State Voltage - (V) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Rated Average On-State Current - (A) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance RMS On-State Current - (A) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Input Capacitance - (pF) Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Typical Power Gain - (dB) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
IDH10G65C5XKSA2 Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
1+
$4.1995
10+
$2.1849
100+
$1.9824
500+
$1.6084
1000+
$1.4985
Quantità per unità: 1
Scorte 3.734
Da $1.4985 a $4.1995
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG Rectifiers Schottky Diode SiC Single 650 10 82 1.7 180 300(Typ) 62K/W 1.7K/W 89000 Tube 2 TO-220 TO Unknown No No No No EAR99 No No
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
Per unità
$47.36
Quantità per unità: 1
Scorte 15
$47.36
Per unità
Spedisce domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET SiC N Hex Enhancement 6 1200 20 75 10.8(Typ)@18V 223@18V 6600@800V Tray 33 Unknown Yes Unknown EAR99 No
IDK16G120C5XTMA1 Diode Schottky SiC 1.2KV 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
1+
$7.35
500+
$7.15
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 927
Da $7.15 a $7.35
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG Rectifiers Schottky Diode SiC Single Dual Cathode 1200 40 140 1.95@16A 80 730(Typ) 250000 Tape and Reel 3 D2PAK TO No No No No EAR99 No No
BSC010NE2LSIATMA1 Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
1+
$1.0419
10+
$0.7923
25+
$0.7843
100+
$0.5597
Nastri
1+
$1.0419
10+
$0.7923
25+
$0.7843
100+
$0.5597
Visualizza altro
Quantità per unità: 1
Scorte 238
Da $0.5597 a $1.0419
Per unità
Spedisce domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 25 20 2 38 1.05@10V 29@4.5V|59@10V 50 20 59 2500 1800 4200@12V 0.9@10V|1.1@4.5V Tape and Reel Unknown 8 TDSON EP SON No Yes No No No No EAR99 Yes Yes
IKZA50N65SS5XKSA1 Trans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Per unità
$1.272
Quantità per unità: 1
Scorte 238
$1.272
Per unità
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Infineon Technologies AG IGBT Chip Trench Stop 5 650 274 4 TO-247 TO No No No EAR99 No
IQD009N06NM5SCATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R
1+
$2.778
10+
$2.597
25+
$2.595
100+
$2.276
Nastri
1+
$2.778
10+
$2.597
25+
$2.595
100+
$2.276
Visualizza altro
Quantità per unità: 1
Scorte 100
Da $2.276 a $2.778
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 60 20 42 0.9@10V 120@10V 120 3000 9000@30V 8 WHSON EP Unknown Yes Unknown EAR99 Yes Yes
IRLR2905TRPBF Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Per unità
$0.4165
More Inventory
Quantità per unità: 1
Scorte 65.921
$0.4165
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET Si N Single Enhancement 1 55 ±16 2 42 27@10V 48(Max)@5V 110000 1700@25V Tape and Reel Unknown 3 DPAK TO No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
FF300R12KE3HOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 440A 1450W 7-Pin 62MM-1 Tray
Per unità
$52.28
Quantità per unità: 1
Scorte 6
$52.28
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT N Dual ±20 1200 440 1450 Tray 7 62MM-1 No No Unknown Yes Unknown EAR99 No No
IMDQ75R027M1HXUMA1 Trans MOSFET N-CH SiC 750V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R
1+
$4.1100
10+
$3.9580
25+
$3.7290
1+
$6.9025
Nastri
1+
$4.1100
10+
$3.9580
25+
$3.7290
1+
$6.9025
Visualizza altro
Quantità per unità: 1
Scorte 50
Da $6.9025 a $4.11
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET SiC N Single Ten Source Eleven Drain Enhancement 1 750 23 64 36@18V 49@18V 273000 1668@500V 22 HDSOP EP SO No No No EAR99 No
IDWD150E65E7XKSA1 Diode Switching 650V 200A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Per unità
$1.884
Quantità per unità: 1
Scorte 112
$1.884
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Switching Diode Single 650 200 600 2.1@150A 20 97(Typ) 453000 Tube 2 TO-247 TO No No No EAR99 No
IQDH45N04LM6SCATMA1 Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
1+
$2.052
10+
$1.960
25+
$1.833
Nastri
1+
$2.052
10+
$1.960
25+
$1.833
Visualizza altro
Quantità per unità: 1
Scorte 84
Da $1.833 a $2.052
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 40 20 58 0.49@10V 62@4.5V|129@10V 129 3000 9000@20V 8 WHSON EP No No No EAR99 Yes Yes
FF1200XTR17T2P5PBPSA1 Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.07KA 15-Pin Tray
Per unità
$1,041.06
Quantità per unità: 1
Scorte 1
$1,041.06
Per unità
Spedisce domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Dual ±20 1700 1070 Tray 15 Yes 3A228.c Yes Yes
IKP06N60TXKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
1+
$1.860
10+
$0.894
50+
$0.814
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 482
Da $0.814 a $1.86
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG IGBT Chip N Single ±20 600 12 88 Tube 3 TO-220AB TO No No Unknown Yes Unknown EAR99 No No
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
Per unità
$1.521
More Inventory
Quantità per unità: 1
Scorte 1.000
$1.521
Per unità
Spedisce domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 600 ±20 3.9 15 280@10V 63@10V 80 3.7 63 34000 1660@25V 250@10V Tube 3 TO-220FP TO No Unknown No No No No EAR99 No No
BSC014N06NSATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
1+
$3.79
10+
$2.47
50+
$2.43
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 400
Da $2.43 a $3.79
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 60 ±20 3.3 31 1.45@10V 89@10V 50 0.8 89 3000 6500@30V 1.2@10V|1.6@6V Tape and Reel 8 TDSON EP SON No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
BSZ018NE2LSIATMA1 Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
1+
$0.6509
10+
$0.6411
25+
$0.6314
50+
$0.6216
100+
$0.6119
250+
$0.6022
500+
$0.5924
1000+
$0.5827
3000+
$0.5729
Nastri
1+
$0.6509
10+
$0.6411
25+
$0.6314
50+
$0.6216
100+
$0.6119
250+
$0.6022
500+
$0.5924
1000+
$0.5827
3000+
$0.5729
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Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 3.090
Da $0.5729 a $0.6509
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 25 ±20 2 22 1.8@10V 17@4.5V|36@10V 36 2100 2500@12V 1.5@10V|2@4.5V Tape and Reel 8 TSDSON EP SON No No No No No EAR99 Yes Yes
SPB18P06PGATMA1 Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
1000+
$0.4767
2000+
$0.4517
3000+
$0.4472
5000+
$0.4427
Quantità per unità: 1000
Scorte 5.000
Da $0.4427 a $0.4767
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET P Single Enhancement 1 60 ±20 18.7 130@10V 22@10V 22 81100 690@25V 101@10V Tape and Reel 3 D2PAK TO No Yes No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 Yes Yes
IPG16N10S461AATMA1 Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Per unità
$0.7729
Quantità per unità: 5000
Scorte 5.000
$0.7729
Per unità
Spedisce domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Dual Dual Drain Enhancement 2 100 ±20 3.5 16 61@10V 5.4@10V 5.4 29000 374@25V 53@10V Tape and Reel 8 TDSON EP SON No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 Yes Yes
IPL60R075CFD7AUMA1 Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Per unità
$2.528
Quantità per unità: 3000
Scorte 3.000
$2.528
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Triple Source Enhancement 1 600 20 4.5 33 75@10V 67@10V 62 67 189000 2721@400V 66@10V CoolMOS CFD7 Tape and Reel 4 VSON EP SON No No No No EAR99 Yes Yes
IPA60R145CFD7XKSA1 Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Per unità
$1.858
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 485
$1.858
Per unità
Spedisce domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 600 20 4.5 9 145@10V 31@10V 31 27000 1330@400V 127@10V Tube 3 TO-220FP TO No No No No EAR99 No No
BCR183SH6327XTSA1 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Per unità
$0.098
Quantità per unità: 3000
Scorte 18.000
$0.098
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG BJT digitale PNP Dual 50 10 1 0.1 30@5mA@5V 250 0.3@0.5mA@10mA Tape and Reel 6 SOT-363 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
FP15R12KE3GBPSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 105W 24-Pin Tray
Per unità
$118.89
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 15
$118.89
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Hex ±20 1200 25 105 24 No No No No EAR99 No
GS0650111LTRXUMA1 Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin VSON EP T/R
1+
$5.23
10+
$4.19
50+
$4.15
100+
$3.02
200+
$2.94
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 1.854
Da $2.94 a $5.23
Per unità
disponibili per la spedizione 7 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET GaN N Single Quad Drain Enhancement 1 650 7 11 190@6V 2.2@6V 70@400V 8 VSON EP No No No No
DD171N18KHPSA1 Diode 1.8KV 171A 3-Pin PB34-1 Tray
Per unità
$136.63
Quantità per unità: 1
Scorte 1
$136.63
Per unità
Spedisce domani
Infineon Technologies AG Rectifiers Dual Series 1800 171 6600 1.26@500A 20000 Tray 3 PB34-1 Unknown No No No No EAR99 No
IQD005N04NM6SCATMA1 Trans MOSFET N-CH 40V 57A 8-Pin WHSON EP T/R
1+
$1.2975
10+
$1.2417
25+
$1.0790
1+
$1.8046
Nastri
1+
$1.2975
10+
$1.2417
25+
$1.0790
1+
$1.8046
Visualizza altro
Quantità per unità: 1
Scorte 96
Da $1.8046 a $1.2975
Per unità
Spedisce domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 40 20 57 0.49@10V 130@10V 130 3000 9000@20V 8 WHSON EP Unknown Yes Unknown EAR99 Yes Yes

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