I diodi al carburo di silicio (SiC) di Bourns® offrono un ottimo trasporto di corrente. Questi componenti di potenza avanzati sono adatti per applicazioni quali i convertitori, che richiedono un'elevata capacità di picco diretto, bassa caduta di tensione diretta, resistenza termica ridotta e perdita di potenza limitata, con conseguente elevata efficienza.
I diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di silicio della serie BSD di Bourns®sono progettati per soddisfare le esigenze delle moderne applicazioni ad alta frequenza e alta corrente, offrendo funzionalità avanzate che migliorano le soluzioni di conversione della potenza. Grazie al funzionamento in un intervallo di tensione compreso tra 650 V e 1200 V e a correnti tra 6 A e 10 A, i modelli BSD di Bourns® risultano versatili per varie applicazioni, tra cui convertitori DC-DC e AC-DC, alimentatori a commutazione, inverter fotovoltaici, sistemi di azionamento motori e dispositivi di raddrizzamento. Con molteplici package disponibili, tra cui TO220-2, TO247-3, TO252 e DFN8x8, la serie BSD offre la flessibilità necessaria a soddisfare i requisiti specifici di svariate applicazioni. Questa adattabilità consente ai progettisti di creare componenti elettronici di potenza compatti e all'avanguardia, pur mantenendo prestazioni elevate.
Caratteristiche
- Perdita di potenza limitata ed elevata efficienza
- Corrente di dispersione inversa bassa
- Sovracorrente diretta di picco elevata (IFSM)
- EMI ridotte: nessuna corrente di recupero inversa
- Dissipazione del calore ridotta: tensione diretta limitata (VF)
- Range massimo della temperatura di giunzione d'esercizio (TJ) fino a 175 °C
- Composto epossidico ritardante di fiamma in base allo standard UL 94V-0
- Conformi alla direttiva RoHS*, privi di Pb e alogeni**
Applicazioni
- Alimentatori a commutazione (SMPS)
- Correzione del fattore di potenza (PFC)
- Inverter fotovoltaici
- Convertitori DC-DC e AC-DC
- Telecomunicazioni
- Sistemi di azionamento motore
