Los diodos de carburo de silicio (SiC) Bourns® proporcionan una excelente capacidad de distribución de corriente. Estos avanzados componentes de potencia son adecuados para aplicaciones como convertidores que requieren una alta capacidad de pico de sobretensión directa, baja caída de tensión directa, menor resistencia térmica y baja pérdida de potencia, lo que se traduce en una alta eficiencia.
Los diodos de barrera Schottky (SBD, por sus siglas en inglés) de carburo de silicio de la serie BSD de modelo Bourns® están diseñados para satisfacer las demandas de las aplicaciones modernas de alta frecuencia y alta corriente, y ofrecen características avanzadas para mejorar las soluciones de conversión de potencia. Al funcionar dentro de un rango de tensión de 650 V a 1200 V y corrientes de 6 A a 10 A, los modelos BSD de Bourns® son versátiles para varias aplicaciones, lo que incluye convertidores CC-CC y CA-CC, SMPS, inversores fotovoltaicos, transmisiones de motor y rectificación. Con opciones de paquetes que incluyen TO220-2, TO247-3, TO252 y DFN8x8, la serie BSD ofrece flexibilidad para satisfacer los requisitos únicos de su aplicación. Esta adaptabilidad permite a los diseñadores crear dispositivos electrónicos de potencia compactos y de vanguardia manteniendo un alto rendimiento.
Características
- Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
- Baja corriente de dispersión inversa
- Corriente de sobretensión directa de pico alto (IFSM)
- Menos EMI: sin corriente de recuperación inversa
- Menor disipación de calor: tensión directa baja (VF)
- Rango de unión de temperatura de funcionamiento máxima (TJ) hasta 175 °C
- El compuesto de moldeo epóxico es retardante de llama según el estándar UL 94V-0.
- Cumple con RoHS*, sin Pb y sin halógenos**
Usos
- Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
- Corrección del factor de potencia (PFC)
- Inversores fotovoltaicos
- Convertidores CC a CC, CA a CC
- Telecomunicaciones
- Transmisiones de motores
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