Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors

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8.181 Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors

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N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Maximum Breakover Voltage - (V) Category Bridge Type Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Material Frequency Band Diode Type Channel Type Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Configuration Channel Mode Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Continuous Forward Current - (A) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Peak RMS Reverse Voltage - (V) Number of Elements per Chip Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Peak On-State Voltage - (V) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) RMS On-State Current - (A) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Rated Average On-State Current - (A) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Typical Power Gain - (dB) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Maximum Frequency - (MHz) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Maximum Breakover Voltage - (V) Category Bridge Type Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Material Frequency Band Diode Type Channel Type Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Configuration Channel Mode Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Continuous Forward Current - (A) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Peak RMS Reverse Voltage - (V) Number of Elements per Chip Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Peak On-State Voltage - (V) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) RMS On-State Current - (A) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Rated Average On-State Current - (A) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Typical Power Gain - (dB) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Maximum Frequency - (MHz) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
BSC079N03LSCGATMA1 Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
1+
$0.2243
10+
$0.2209
25+
$0.2175
50+
$0.2142
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$0.2108
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$0.2075
500+
$0.2041
1000+
$0.2008
3000+
$0.1974
Nastri
1+
$0.2243
10+
$0.2209
25+
$0.2175
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$0.2142
100+
$0.2108
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$0.2075
500+
$0.2041
1000+
$0.2008
3000+
$0.1974
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Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 4.000
Da $0.1974 a $0.2243
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 34 ±20 50 2.2 2500 14 7.9@10V 6.8@4.5V|14@10V 14 1200@15V 6.6@10V|10.2@4.5V Tape and Reel 8 TDSON EP SON No No No No No EAR99 Yes Yes
IKW50N65H5FKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
1+
$4.44
10+
$2.47
50+
$2.44
100+
$2.05
200+
$2.01
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 230
Da $2.01 a $4.44
Per unità
disponibili per la spedizione 6 domani
Infineon Technologies AG IGBT Chip N Single ±20 650 80 305 Tube 3 TO-247 TO No Unknown No No No No EAR99 No No
FP10R06W1E3BOMA1 IGBT Power Module
1+
$32.00
5+
$31.40
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 23
Da $31.40 a $32.00
Per unità
disponibili per la spedizione 6 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT 600 Tray 15 EASY1B-1 No No No No No EAR99 No
BFR843EL3E6327XTSA1 Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW 3-Pin TSLP T/R Automotive AEC-Q101
1+
$0.3396
Nastri
1+
$0.3396
Quantità per unità: 1
Scorte 6
$0.3396
Per unità
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Infineon Technologies AG RF BJT NPN SiGe Single 2.25 2.9 1 0.055 1.8V/15mA 125 200 to 300 230@1mA@1.8V 5.26 25.5 7.5(Typ) 23 1.35(Min) Tape and Reel 3 TSLP No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
IKQ75N120CH3XKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
1+
$13.0873
10+
$9.8270
25+
$8.0061
50+
$7.9261
Quantità per unità: 1
Scorte 55
Da $7.9261 a $13.0873
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG IGBT Chip N Single ±20 1200 150 938 3 TO-247 TO No No No No EAR99 No No
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FF150R12KS4HOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
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$114.3597
Quantità per unità: 1
Scorte 7
$114.3597
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Dual ±20 1200 225 1250 Tray 7 62MM-1 No No No No No EAR99 No No
BAS4002LE6327XTMA1 Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R
Per unità
$0.0733
Quantità per unità: 1
Scorte 60.881
$0.0733
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Schottky Diode Si Single 0.12 0.2 1@0.04A 1@30V 250 5 Tape and Reel 2 TSLP No Yes No No No No EAR99 No No
IRFP150MPBF Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Per unità
$0.6115
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 1.469
$0.6115
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 100 ±20 4 160000 42 36@10V 110(Max)@10V 110(Max) 1900@25V Tube 3 TO-247AC TO No No No No No EAR99 No No
TT425N16KOFHPSA3 SCR Module 1600V 800A(RMS) 14500A 7-Pin PB60AT-1 Tray
Per unità
$297.00
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 1
$297.00
Per unità
disponibili per la spedizione 6 domani
Infineon Technologies AG SCR Modules 1000 120 1.5 1600 250 14500 300 1.5@1500A 800 1600 471 100 Tray 7 PB60AT-1 No Unknown No No No No EAR99 No No
FP35R12KT4B11BPSA1 Three Phase IGBT Module
1+
$14.00
10+
$13.76
Nastri
1+
$14.00
10+
$13.76
Quantità per unità: 1
Scorte 13
Da $13.76 a $14.00
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT 23 ECONO2B No No No No EAR99 No
BCM856SH6433XTMA1 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Per unità
$0.063
Quantità per unità: 1
Scorte 19.364
$0.063
Per unità
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Infineon Technologies AG GP BJT PNP Bipolar Small Signal Si Dual 65 80 2 5 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.85(Typ)@5mA@100mA 0.1 250 200 to 300 200@2mA@5V 3 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA 10 Tape and Reel 6 SOT-363 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No
IPDQ60R035CFD7XTMA1 Trans MOSFET N-CH 600V 68A 22-Pin HDSOP EP T/R
1+
$6.129
10+
$5.107
25+
$4.699
Nastri
1+
$6.129
10+
$5.107
25+
$4.699
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Quantità per unità: 1
Scorte 66
Da $4.699 a $6.129
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Ten Source Eleven Drain Enhancement 1 600 20 367000 68 35@10V 108@10V 108 4346@400V Tape and Reel 22 HDSOP EP SO No No No No EAR99 No
AIDK12S65C5ATMA1 Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
1+
$5.122
10+
$4.017
100+
$3.071
Quantità per unità: 1
Scorte 940
Da $3.071 a $5.122
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Infineon Technologies AG Rectifiers Schottky Diode SiC Single Dual Cathode 650 12 50 1.7 70 62000 363(Typ) Tape and Reel 3 TO-263 TO No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 Yes Yes
IDFW40E65D1EXKSA1 Diode Switching 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Per unità
$2.254
Quantità per unità: 1
Scorte 273
$2.254
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Switching Diode Single 650 42 2.1@40A 40 78000 232(Typ) Tube 3 TO-247 TO No No No No EAR99 No No
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 3-Level IGBT Module
Per unità
$32.29
Quantità per unità: 1
Scorte 8
$32.29
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT 32 No No No No EAR99 Yes Yes
TD500N16KOFHPSA2 Thyristor SCR Phase Control Thyristor Module 1.6kV 17kA 5-Pin Tray
Per unità
$219.00
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 2
$219.00
Per unità
disponibili per la spedizione 6 domani
Infineon Technologies AG SCR Modules 1000 200 2.2 250 300 1.45@1700A 900 100 5 PB60AT-1 No Unknown No No No No EAR99 No No
FF300R17KE4HOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1700V 440A 1800W 7-Pin 62MM-1 Tray
Per unità
$114.42
Quantità per unità: 1
Scorte 4
$114.42
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT N Dual ±20 1700 440 1800 Tray 7 62MM-1 No Unknown No No No No EAR99 No No
IGP30N65F5XKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
1+
$2.67
10+
$2.32
50+
$1.30
100+
$1.17
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 497
Da $1.17 a $2.67
Per unità
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Infineon Technologies AG IGBT Chip Trench Stop 5 N Single ±20 650 55 188 Tube 3 TO-220 TO No No No No EAR99 No No
DDB6U50N22W1RPB11BPSA1 Trans IGBT Module N-CH 1700V 40A 26-Pin Tray
1+
$9.369
10+
$9.235
Quantità per unità: 1
Scorte 30
Da $9.235 a $9.369
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT N Single ±20 1700 40 Tray 26 No No No No EAR99 No
IRF40B207 Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
1+
$0.4087
10+
$0.3895
100+
$0.3867
500+
$0.3729
More Inventory
Quantità per unità: 1
Scorte 126.625
Da $0.3729 a $0.4087
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET Si N Single Enhancement 1 40 ±20 3.9 83000 95 4.5@10V 45@10V 45 2110@25V 3.6@10V|5.4@6V HEXFET Tube 3 TO-220AB TO No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
FP35R12KT4BOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210W 23-Pin ECONO2-4
Per unità
$47.80
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 3
$47.80
Per unità
disponibili per la spedizione 6 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Hex ±20 1200 35 210 23 ECONO2-4 No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
FP10R12W1T4BOMA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105W 20-Pin EASY1B-1 Tray
Per unità
$31.38
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 21
$31.38
Per unità
disponibili per la spedizione 6 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Array 7 ±20 1200 20 105 Tray 20 EASY1B-1 No Unknown No No No No EAR99 No
IRF6785MTRPBF Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
1+
$1.1950
10+
$1.1886
25+
$1.1823
100+
$1.1759
250+
$1.1695
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$1.1631
1000+
$1.1567
3000+
$1.1503
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$1.1439
Nastri
1+
$1.1950
10+
$1.1886
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$1.1823
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$1.1759
250+
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$1.1567
3000+
$1.1503
6000+
$1.1439
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Quantità per unità: 1
Scorte 95.210
Da $1.1439 a $1.195
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET Si N Single Quad Drain Dual Source Enhancement 1 200 ±20 5 2800 3.4 100@10V 26@10V 26 1500@25V 85@10V Tape and Reel 7 Direct-FET MZ No No No No No EAR99 Yes Yes
FP75R12N3T7B11BPSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 35-Pin Tray
Per unità
$22.10
Quantità per unità: 1
Scorte 10
$22.10
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT Trench Stop N Hex ±20 1200 75 Tray 35 No No No No EAR99 Yes Yes
IPB100N04S4H2ATMA1 Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
1+
$0.5258
10+
$0.5177
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$0.5096
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$0.4853
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$0.4771
Nastri
1+
$0.5258
10+
$0.5177
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$0.5015
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$0.4934
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$0.4853
1000+
$0.4771
More Inventory
Quantità per unità: 1
Scorte 6.980
Da $0.4771 a $0.5258
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 40 ±20 4 115000 100 2.4@10V 70@10V 70 5520@25V 2.1@10V|2.4@10V Tape and Reel 3 D2PAK TO No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 Yes Yes

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