WOLFSPEED, INCCAB011A12GM3TMOSFET
SiC, Module, 11mΩ, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
Caractéristiques
- • Ultra-faible perte
- • Fonctionnement haute fréquence
- • Zéro courant de queue lors de la connexion du MOSFET
- • Dispositif normalement débranché sécurisé
- • Substrat céramique en nitrure d’aluminium
- • Matériau d’interface thermique pré-appliqué en option
Avantages
- • Il permet des systèmes légers et compacts
- • Efficacité de système améliorée grâce aux faibles pertes de commutation et de conduction du carbure de silicium
- • Il réduit les exigences thermiques et le coût du système
Applications
- • Convertisseurs CC-CC
- • Chargeurs de VE
- • Convertisseurs / onduleurs hautes performances
- • Énergie renouvelable
- • Génération à distribution par réseau intelligent / injecteur réseau
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| SiC | |
| Dual | |
| Enhancement | |
| N | |
| 2 | |
| 1200 | |
| 23 | |
| -40 to 175 | |
| 149(Typ) | |
| 14.8@15V | |
| 354@15V | |
| 11000@1000V | |
| 470000(Typ) | |
| -40 | |
| 125 | |
| Industrial | |
| Installation | Screw |
| Hauteur du paquet | 12.33 mm |
| Largeur du paquet | 56.7 mm |
| Longueur du paquet | 62.8 mm |
| Carte électronique changée | 36 |
| 36 |
| EDA / CAD Models |
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