WOLFSPEED, INCCAB011A12GM3TMOSFETs
SiC, Module, 11mΩ, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
Características
- • Pérdida ultrabaja
- • Operación de alta frecuencia
- • Corriente de cola nula al conectar el MOSFET
- • Dispositivo normalmente desconectado seguro
- • Substrato cerámico de nitruro de aluminio
- • Material de interfaz térmica preaplicado opcional
Ventajas
- • Permite sistemas ligeros y compactos
- • Eficiencia de sistema incrementada con las bajas pérdidas de conmutación y de conducción del carburo de silicio
- • Reduce los requerimientos térmicos y el coste de sistema
Aplicaciones
- • Convertidores de CC a CC
- • Cargadores de VE
- • Convertidores / inversores de alta eficiencia
- • Energía renovable
- • Generación distribuida a través de red inteligente / inversor conectado
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| SiC | |
| Dual | |
| Enhancement | |
| N | |
| 2 | |
| 1200 | |
| 23 | |
| -40 to 175 | |
| 149(Typ) | |
| 14.8@15V | |
| 354@15V | |
| 11000@1000V | |
| 470000(Typ) | |
| -40 | |
| 125 | |
| Industrial | |
| Mounting | Screw |
| Package Height | 12.33 mm |
| Package Width | 56.7 mm |
| Package Length | 62.8 mm |
| PCB changed | 36 |
| 36 |
| EDA / CAD Models |
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