WOLFSPEED, INCCAB011A12GM3TMOSFETs
SiC, Module, 11mΩ, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
特点
- • 超低损耗
- • 高频操作
- • 来自 MOSFET 的零关断尾电流
- • 通常关闭，失效安全设备操作
- • 氮化铝陶瓷基板
- • 可选择预先应用的热界面材料
优势
- • 实现紧凑、轻量化系统
- • 由于 SiC 低开关和导通损失，提高系统效率
- • 降低热要求和系统成本
目标应用
- • 直流-直流转换器
- • 电动汽车充电器
- • 高效率变流器/逆变器
- • 可再生能源
- • 智能电网/并网分布式发电
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| SiC | |
| Dual | |
| Enhancement | |
| N | |
| 2 | |
| 1200 | |
| 23 | |
| -40 to 175 | |
| 149(Typ) | |
| 14.8@15V | |
| 354@15V | |
| 11000@1000V | |
| 470000(Typ) | |
| -40 | |
| 125 | |
| Industrial | |
| Mounting | Screw |
| Package Height | 12.33 mm |
| Package Width | 56.7 mm |
| Package Length | 62.8 mm |
| PCB changed | 36 |
| 36 |
| EDA / CAD Models |
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