WOLFSPEED, INCCAB011A12GM3TMOSFETs
SiC, Module, 11mΩ, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
특징
- • 초저 손실
- • 고주파 작동
- • MOSFET의 제로 턴오프 테일 전류
- • 보통 꺼짐, 장애 안전 장치 운영
- • 알루미늄 질화물 세라믹 기판
- • 선택 사항으로 사전에 적용된 열 인터페이스 재료
이점
- • 소형 경량 시스템 가능
- • SiC의 낮은 스위칭 및 도전 손실로 인한 시스템 효율 증가
- • 열 요구 및 시스템 비용 감소
목표 응용
- • DC-DC 컨버터
- • 전기 자동차 충전기
- • 고효율 컨버터/인버터
- • 재생 에너지
- • 스마트 그리드/그리드 결합 분산 발전
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| SiC | |
| Dual | |
| Enhancement | |
| N | |
| 2 | |
| 1200 | |
| 23 | |
| -40 to 175 | |
| 149(Typ) | |
| 14.8@15V | |
| 354@15V | |
| 11000@1000V | |
| 470000(Typ) | |
| -40 | |
| 125 | |
| Industrial | |
| Mounting | Screw |
| Package Height | 12.33 mm |
| Package Width | 56.7 mm |
| Package Length | 62.8 mm |
| PCB changed | 36 |
| 36 |
| EDA / CAD Models |
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