Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
3.797 Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
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| N. parte | Prezzo | Scorte | Produttore | Categoria | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK208-Y(TE85L,F)
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
1.623
Da $0.237 a $0.378
Per unità
|
Toshiba | JFETs | Si | N | Single | 1 | -50 | 100 | 0.5(Typ) | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K37MFV,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
|
Scorte
7.718
Da $0.0406 a $0.128
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 1 | 150 | 0.25 | 2200@4.5V | 12@10V | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TW015Z65C,S1F
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
|
Scorte
30
$28.58
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | N | Single Dual Source | Enhancement | 1 | 650 | 25 | 342000 | 100 | 22@18V | 128@18V | 4850@400V | Tube | 4 | TO-247 | TO | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HN2S01FU(TE85L,F)
Diode Small Signal Schottky 15V 0.2A 6-Pin US T/R
|
Scorte
1.479
Da $0.112 a $0.124
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Small Signal Schottky Diode | Triple Parallel | 15 | 0.2 | 1 | 0.5@0.1A | 20 | 200 | Tape and Reel | 6 | US | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1305,LF
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
100
$0.023
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | NPN | Single | 50 | 0.1 | 2.2 | 0.0468 | 100 | 80@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 3 | USM | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TTC013(TE12L,C,ZE)
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
|
Scorte
78
Da $0.144 a $0.183
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single Dual Collector | 350 | 600 | 1 | 7 | 1.1@20mA@0.16A | 0.5 | 1000 | 30 to 50|50 to 120 | 80@1mA@5V|100@50mA@5V|30@0.16A@5V | 0.3@20mA@0.16A | Tape and Reel | 4 | PW-Mini | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CTS05S30,L3F(T
Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.5A 2-Pin CST T/R
|
Scorte
6.741
$0.993
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Small Signal Schottky Diode | Si | Single | 30 | 0.5 | 2 | 0.47 | 300 | 55(Typ) | Tape and Reel | 2 | CST | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH6R30ANL,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin SOP Advance T/R
|
Scorte
895
Da $0.602 a $1.77
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 2500 | 66 | 6300@10V | 27@4.5V|55@10V | 3300@50V | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLS10F40,L3F(S) Schottky Barrier Diode |
Scorte
8.550
Da $0.108 a $0.283
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN11006PL,LQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 26A 8-Pin TSON Advance EP
|
Scorte
5.545
Da $0.266 a $0.511
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 1600 | 26 | 11.4@10V | 17@10V | 1250@30V | 8 | TSON Advance EP | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH1500CNH1,LQ(M
Trans MOSFET N-CH Si 150V 74A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
|
Scorte
4.930
Da $0.965 a $2.85
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 150 | ±20 | 2500 | 74 | 15.4@10V | 22@10V | 22 | 1700@75V | Tape and Reel | 8 | SOP Advance(N) | SO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SA1313-Y,LF
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
5
$0.0405
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Small Signal | Si | Single | 50 | 50 | 1 | 5 | 0.5 | 200 | 30 to 50|50 to 120|120 to 200 | 40@400mA@6V|120@100mA@1V | 0.25@10mA@100mA | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
RN2421(TE85L,F)
Trans Digital BJT PNP 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
5.185
Da $0.182 a $0.417
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | PNP | Single | 50 | 0.8 | 1 | 1 | 200 | 60@100mA@1V | 0.25@2mA@50mA | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK9A90E,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
|
Scorte
20
Da $1.62 a $3.34
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 4 | 50000 | 9 | 1300@10V | 46@10V | 46 | 2000@25V | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK7P60W5,RVQ
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
Scorte
1.900
$0.5919
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4.5 | 60000 | 7 | 670@10V | 16@10V | 16 | 490@300V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K15ACT,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
|
Scorte
7.455
$1.11
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1.5 | 100 | 0.1 | 3600@4V | 13.5@3V | Tape and Reel | 3 | CST | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK380A60Y,S4X
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
|
Scorte
4
$0.4598
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4 | 30000 | 9.7 | 380@10V | 20@10V | 20 | 590@300V | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
RN1104MFV,L3F
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
711
$0.0138
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | NPN | Single | 50 | 0.1 | 47 | 1 | 150 | 80@10mA@5V | 0.3@0.5mA@5mA | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC5200N(S1,E,S)
Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
|
Scorte
12
Da $1.68 a $2.63
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 230 | 230 | 1 | 5 | 15 | 150000 | 30 to 50|50 to 120 | 80@1A@5V|35@7A@5V | 0.83 | 200 | 3@0.8A@8A | Magazine | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN2R203NC,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
|
Scorte
230.000
$0.2036
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1900 | 100 | 2.2@10V | 34@10V | 34 | 2230@15V | Tape and Reel | 8 | TSON EP Advance | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SJ305TE85LF
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
4.940
Da $0.215 a $0.596
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 200 | 0.2 | 4000@2.5V | 92@3V | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN8R903NL,LQ
Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
|
Scorte
2.312
Da $0.2558 a $0.1621
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 2.3 | 1900 | 37 | 8.9@10V | 4.4@4.5V|9.8@10V | 9.8 | 630@15V | Tape and Reel | 8 | TSON Advance | SON | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK16G60W,RVQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
Scorte
1.000
Da $0.993 a $2.94
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 130000 | 15.8 | 190@10V | 38@10V | 38 | 1350@300V | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS427,L3M(T
Diode Switching Si 85V 0.2A 2-Pin SOD-923 T/R
|
Scorte
1.754
Da $0.0373 a $0.102
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Si | Single | 85 | 0.2 | 1 | 1.2@0.1A | 0.5@80V | 150 | 0.3(Typ) | 1600(Typ) | Tape and Reel | 2 | SOD-923 | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMS16(TE12L,Q,M)
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin M-FLAT T/R
|
Scorte
2.522
Da $0.70 a $0.897
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 40 | 3 | 30 | 0.55 | 200 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | No |