Infineon Technologies AG Diodi, transistor e tiristori

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8.162 Infineon Technologies AG Diodi, transistor e tiristori

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N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Maximum Breakover Voltage - (V) Category Bridge Type Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Material Frequency Band Diode Type Channel Type Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Configuration Channel Mode Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Continuous Forward Current - (A) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Peak RMS Reverse Voltage - (V) Number of Elements per Chip Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Peak On-State Voltage - (V) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) RMS On-State Current - (A) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Rated Average On-State Current - (A) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Typical Power Gain - (dB) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Maximum Frequency - (MHz) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Maximum Breakover Voltage - (V) Category Bridge Type Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Material Frequency Band Diode Type Channel Type Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Configuration Channel Mode Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Continuous Forward Current - (A) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Peak RMS Reverse Voltage - (V) Number of Elements per Chip Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Peak On-State Voltage - (V) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) RMS On-State Current - (A) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Rated Average On-State Current - (A) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Typical Power Gain - (dB) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Maximum Frequency - (MHz) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
DD171N18KHPSA1 Diode 1.8KV 171A 3-Pin PB34-1 Tray
Per unità
$128.43
Quantità per unità: 1
Scorte 1
$128.43
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Dual Series 1800 171 6600 1.26@500A 20000 Tray 3 PB34-1 Unknown No No No No EAR99 No
BAS16UE6327HTSA1 Diode Switching Si 85V 0.2A 6-Pin SC-74 T/R Automotive AEC-Q101
1+
$0.0791
10+
$0.0779
25+
$0.0766
50+
$0.0753
Nastri
1+
$0.0791
10+
$0.0779
25+
$0.0766
50+
$0.0753
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Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 5.747
Da $0.0753 a $0.0791
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Switching Diode Si Triple Parallel 85 0.2 4.5 1.25@0.15A 1@75V 250 4 Tape and Reel 6 SC-74 SOT No Unknown No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
IRFU220NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Per unità
$0.2946
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 2.960
$0.2946
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 200 ±20 4 43000 5 600@10V 15@10V 15 300@25V Tube 3 IPAK TO No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
F3L50R06W1E3B11BOMA1 Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 175W 14-Pin EASY1B-2 Tray
Per unità
$36.73
Quantità per unità: 1
Scorte 12
$36.73
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT N Quad ±20 600 75 175 Tray 14 EASY1B-2 No Unknown No No No No EAR99 No
IPT65R190CFD7XTMA1 Trans MOSFET N-CH 700V 16A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
1+
$0.5555
10+
$0.5469
25+
$0.5383
100+
$0.5298
250+
$0.5212
500+
$0.5126
1000+
$0.5041
Nastri
1+
$0.5555
10+
$0.5469
25+
$0.5383
100+
$0.5298
250+
$0.5212
500+
$0.5126
1000+
$0.5041
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Quantità per unità: 1
Scorte 2.000
Da $0.5041 a $0.5555
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Seven Source Enhancement 1 700 20 106000 16 190@10V 22@10V 22 1044@400V Tape and Reel 9 HSOF SO No No No No EAR99 No
IDK02G120C5XTMA1 Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
1+
$0.3773
10+
$0.3712
25+
$0.3651
100+
$0.3590
Nastri
1+
$0.3773
10+
$0.3712
25+
$0.3651
100+
$0.3590
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Quantità per unità: 1
Scorte 162
Da $0.359 a $0.3773
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Schottky Diode SiC Single Dual Cathode 1200 11.8 37 1.65@2A 18 75000 182(Typ) Tape and Reel 3 D2PAK TO No No No No EAR99 No No
SMBD914E6327HTSA1 Diode Switching Si 100V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Per unità
$0.0275
Quantità per unità: 1
Scorte 12.000
$0.0275
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Switching Diode Single 100 0.25 4.5 1.25@0.15A 0.1@75V 370 4 Silicon Tape and Reel Unknown 3 SOT-23 SOT No Yes No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
DDB6U50N16W1RBPSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 26-Pin Tray
Per unità
$5.974
Quantità per unità: 1
Scorte 240
$5.974
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT N Single ±20 1200 50 Tray 26 No No No No EAR99 Yes Yes
IPDQ60R035CFD7XTMA1 Trans MOSFET N-CH 600V 68A 22-Pin HDSOP EP T/R
1+
$6.129
10+
$5.107
25+
$4.699
Nastri
1+
$6.129
10+
$5.107
25+
$4.699
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Quantità per unità: 1
Scorte 66
Da $4.699 a $6.129
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Ten Source Eleven Drain Enhancement 1 600 20 367000 68 35@10V 108@10V 108 4346@400V Tape and Reel 22 HDSOP EP SO No No No No EAR99 No
IPA60R180P7XKSA1 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
1+
$2.650
10+
$1.350
50+
$1.310
100+
$1.180
500+
$1.168
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 549
Da $1.168 a $2.65
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 600 20 62 4 26000 18 180@10V 25@10V 25 1081@400V 145@10V Tube 3 TO-220FP TO No No No No EAR99 No No
IKW50N65H5FKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
1+
$4.44
10+
$2.47
50+
$2.44
100+
$2.05
200+
$2.01
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 236
Da $2.01 a $4.44
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG IGBT Chip N Single ±20 650 80 305 Tube 3 TO-247 TO No Unknown No No No No EAR99 No No
IPB057N06NATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Per unità
$0.6961
Quantità per unità: 1000
Scorte 1.000
$0.6961
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 60 ±20 2.8(Typ) 3000 45 5.7@10V 27@10V 27 2000@30V 4.9@10V|6.4@6V OptiMOS Tape and Reel 3 D2PAK TO No No No No No EAR99 Yes Yes
Più cercati
BB640E6327HTSA1 Diode VAR Cap Single 35V 62pF 2-Pin SOD-323 T/R
1+
$0.2006
10+
$0.0991
25+
$0.0973
100+
$0.0781
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500+
$0.0739
1000+
$0.0736
3000+
$0.0732
6000+
$0.0728
Nastri
1+
$0.2006
10+
$0.0991
25+
$0.0973
100+
$0.0781
250+
$0.0743
500+
$0.0739
1000+
$0.0736
3000+
$0.0732
6000+
$0.0728
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Quantità per unità: 1
Scorte 11.964
Da $0.0728 a $0.2006
Per unità
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Infineon Technologies AG Varactors Tuner VHF Single 35 0.01 0.02 19.5 1V/28V 62@1V Tape and Reel 2 SOD-323 SOD No Unknown No Yes Unknown Unknown EAR99 No No
BAS4002LE6327XTMA1 Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R
Per unità
$0.0733
Quantità per unità: 1
Scorte 60.881
$0.0733
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Schottky Diode Si Single 0.12 0.2 1@0.04A 1@30V 250 5 Tape and Reel 2 TSLP No Yes No No No No EAR99 No No
FP35R12KT4B11BPSA1 Three Phase IGBT Module
1+
$14.00
10+
$13.76
Nastri
1+
$14.00
10+
$13.76
Quantità per unità: 1
Scorte 13
Da $13.76 a $14.00
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT 23 ECONO2B No No No No EAR99 No
IRFP150MPBF Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Per unità
$0.6115
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 1.469
$0.6115
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 100 ±20 4 160000 42 36@10V 110(Max)@10V 110(Max) 1900@25V Tube 3 TO-247AC TO No No No No No EAR99 No No
TT425N16KOFHPSA3 SCR Module 1600V 800A(RMS) 14500A 7-Pin PB60AT-1 Tray
Per unità
$295.00
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 1
$295.00
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG SCR Modules 1000 120 1.5 1600 250 14500 300 1.5@1500A 800 1600 471 100 Tray 7 PB60AT-1 No Unknown No No No No EAR99 No No
BSO200P03SHXUMA1 Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R
Per unità
$0.3181
Quantità per unità: 2500
FUORI PRODUZIONE
Scorte 2.500
$0.3181
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET P Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 30 ±25 2360 7.4 20@10V 40@10V 40 1750@25V Tape and Reel 8 DSO SO No No Yes Unknown Unknown EAR99 No No
IPP020N08N5AKSA1 Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
1+
$2.8598
50+
$2.8551
100+
$2.7272
Quantità per unità: 1
Scorte 500
Da $2.7272 a $2.8598
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 80 20 62 3.8 375000 120 2@10V 178@10V 0.4 178 13000@40V 1.8@10V|2.1@6V Tube 3 TO-220 TO No Unknown No Yes Unknown Unknown EAR99 Yes Yes
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FF150R12KS4HOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
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$115.1914
Quantità per unità: 1
Scorte 7
$115.1914
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Dual ±20 1200 225 1250 Tray 7 62MM-1 No No No No No EAR99 No No
BCM856SH6433XTMA1 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Per unità
$0.063
Quantità per unità: 1
Scorte 19.364
$0.063
Per unità
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Infineon Technologies AG GP BJT PNP Bipolar Small Signal Si Dual 65 80 2 5 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.85(Typ)@5mA@100mA 0.1 250 200 to 300 200@2mA@5V 3 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA 10 Tape and Reel 6 SOT-363 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No
BFR843EL3E6327XTSA1 Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW 3-Pin TSLP T/R Automotive AEC-Q101
1+
$0.3396
Nastri
1+
$0.3396
Quantità per unità: 1
Scorte 6
$0.3396
Per unità
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Infineon Technologies AG RF BJT NPN SiGe Single 2.25 2.9 1 0.055 1.8V/15mA 125 200 to 300 230@1mA@1.8V 5.26 25.5 7.5(Typ) 23 1.35(Min) Tape and Reel 3 TSLP No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
FP10R06W1E3BOMA1 IGBT Power Module
1+
$32.00
5+
$31.40
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 23
Da $31.40 a $32.00
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT 600 Tray 15 EASY1B-1 No No No No No EAR99 No
TD500N16KOFHPSA2 Thyristor SCR Phase Control Thyristor Module 1.6kV 17kA 5-Pin Tray
Per unità
$217.00
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 2
$217.00
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG SCR Modules 1000 200 2.2 250 300 1.45@1700A 900 100 5 PB60AT-1 No Unknown No No No No EAR99 No No
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 3-Level IGBT Module
Per unità
$32.29
Quantità per unità: 1
Scorte 8
$32.29
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT 32 No No No No EAR99 Yes Yes

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