Infineon Technologies AG Diodes, transistors, thyristors

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N° de référence Prix Stock Fabricant Catégorie Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Maximum Breakover Voltage - (V) Category Bridge Type Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Material Frequency Band Diode Type Channel Type Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Configuration Channel Mode Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Continuous Forward Current - (A) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Peak RMS Reverse Voltage - (V) Number of Elements per Chip Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Peak On-State Voltage - (V) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) RMS On-State Current - (A) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Rated Average On-State Current - (A) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Input Capacitance - (pF) Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Typical Power Gain - (dB) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Maximum Frequency - (MHz) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
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IMZA65R040M2HXKSA1 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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