FR et micro-onde

<p>Les dispositifs à FR et micro-ondes englobent le vaste champ des communications sans fil. Tout composant capable d'opérer à des fréquences radio/micro-onde, même s'il ne transmet ni ne reçoit concrètement des données, est également considéré comme un dispositif à FR/micro-onde. </p>

<p>Une grande catégorie de dispositifs à FR et micro-onde est celle qui regroupe les BJT et les MOSFET. Il s'agit de transistors spécialisés pour une transmission efficace de la puissance à des fréquences radio. Un MOSFET/BJT FR constitue la dernière étape de l'émetteur avant l'antenne. Ces transistors sont souvent fabriqués à partir de processus de semiconducteurs plus avancés que le silicone afin d'obtenir de meilleures performances. </p>

<p>Beaucoup d'autres dispositifs à FR très importants sont utilisés comme composants de systèmes à FR plus larges. Les atténuateurs réduisent la puissance d'entrée d'une valeur spécifique. Les mélangeurs assurent la multiplication des signaux d'entrée de bande de base et de vecteurs. Les amplificateurs à FR dopent la puissance pour une plage de fréquences à bande étroite. Les diodes FR peuvent être utilisées pour la détection d'enveloppes ou peuvent fonctionner comme mélangeurs de basse qualité.</p>

<p>Les pièces qui mettent en &oelig;uvre des systèmes utilisant les protocoles 802.11, Bluetooth, GPS ou d'autres protocoles sans fil sont également considérés comme faisant partie de la catégorie des dispositifs à FR et micro-onde. Ces dispositifs complexes intègrent le système frontal FR, le traitement/filtrage de la bande de base et l'infrastructure numérique nécessaires pour une mise en &oelig;uvre complète des systèmes. Par exemple, une pièce 802.11 LAN sans fil inclut plusieurs dizaines de composants FR de base, parmi lesquels des mélangeurs, des syntoniseurs et des transistors amplificateurs.</p>

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