Vuoi trarre il massimo dal design del tuo dispositivo di alimentazione separato basato su SiC di ultima generazione con meno sforzi?
La capacità di soddisfare diversi requisiti di gate-drive da vari fornitori MOSFET e i relativi effetti dei MOSFET SiC molto rapidi (dv/dt elevato) possono causare molti problemi tecnici come oscillazione e sovratensione che sono delle sfide importanti per i progettisti di sistemi di alimentazione.
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