TT Electronics / Semelab Diodes, Transistors and Thyristors
332 TT Electronics / Semelab Diodes, Transistors and Thyristors
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| N. parte | Prezzo | Scorte | Produttore | Categoria | Type | Category | Material | Channel Type | Configuration | Channel Mode | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Operational Bias Conditions | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Minimum Frequency - (MHz) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Process Technology | Rad Hard | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | ESCC Qualified | Military | AEC Qualified | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3637CSM-JQR-B PNP SMT Silicon Transistor |
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Semelab | GP BJT | Unknown | Unknown | Unknown | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMD1009 Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin Case D1 |
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Semelab | RF MOSFETs | Si | N | Dual Common Source | Enhancement | 2 | 70 | ±20 | 7 | 648000 | 240(Max)@28V | 12(Min) | 1 | 500 | 5 | Case D1 | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SML10SIC06YC Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA |
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Semelab | Rectifiers | Schottky Diode | Dual Common Cathode | 600 | 10 | 250 | 1.8 | 50 | 100000 | 3 | TO-257AA | TO | No | No | No | No | No | 3A001.h | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D1201UK Trans RF MOSFET N-CH 40V 10A 3-Pin Case DP |
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Semelab | RF MOSFETs | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 40 | 20 | 7 | 50000 | 10 | 60(Max)@20V | 10(Min) | 1 | 10 | 500 | 3 | Case DP | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6845
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin TO-39
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Semelab | MOSFETs | Power MOSFET | P | Single | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 4 | 20000 | 4 | 690@10V | 16.3(Max)@10V | 16.3(Max) | 380@25V | 3 | TO-39 | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5416CSM4
Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 4-Pin CLLCC-3
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Semelab | GP BJT | PNP | Bipolar Power | Si | Single | 300 | 350 | 1 | 6 | 1 | 150 | 1000 | 30 to 50 | 30@50mA@10V | 25(Max) | 0.5@5mA@50mA | 4 | CLLCC-3 | LCC | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDX65B BIPOLAR NPN DARLINGTON DEVICE |
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Semelab | Darlington BJT | 3 | TO-3 | TO | No | No | No | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BFX29
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39
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Semelab | GP BJT | PNP | Bipolar Small Signal | Si | Single | 60 | 60 | 1 | 5 | 0.9@1mA@30mA|1.3@15mA@150mA | 0.6 | 600 | 2 to 30|30 to 50|50 to 120 | 20@0.1mA@10V|40@1mA@10V|50@10mA@10V|50@50mA@10V|40@150mA@10V | 0.4@15mA@150mA | 3 | TO-39 | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-JQR-B
Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
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Semelab | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single | Enhancement | 1 | 90 | ±20 | 725 | 0.9 | 4000@10V | 50(Max)@25V | 3 | TO-39 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D1028UK Trans RF MOSFET N-CH 70V 30A 5-Pin Case DR |
|
Semelab | RF MOSFETs | Si | N | Dual Common Source | Enhancement | 2 | 70 | ±20 | 438000 | 30 | 360(Max)@28V | 13(Min) | 1 | 300 | 200 | DMOS | 5 | Case DR | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6678M3A-JQRS NPN Silicon Transistor |
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Semelab | GP BJT | No | No | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFY9140-QR-B Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB |
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Semelab | MOSFETs | Power MOSFET | P | Single | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 60000 | 13 | 240@10V | 60(Max)@10V | 1400@25V | 3 | TO-257AB | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D5001UK Trans RF MOSFET N-CH 125V 3A 4-Pin Case DA |
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Semelab | RF MOSFETs | Si | N | Single Dual Drain | Enhancement | 1 | 125 | ±20 | 50000 | 3 | 60(Max)@50V | 16(Min) | 1 | 20 | 175 | 4 | Case DA | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D5029UK Trans RF MOSFET N-CH 125V 21A 5-Pin Case DR |
|
Semelab | RF MOSFETs | Si | N | Dual Common Source | Enhancement | 1 | 125 | ±20 | 438000 | 21 | 420(Max)@50V | 13(Min) | 1 | 350 | 200 | 5 | Case DR | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2241UK RF MOSFET, RF VDMOS Power |
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Semelab | RF MOSFETs | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2225UK Trans RF MOSFET 40V 4A 8-Pin SO |
|
Semelab | RF MOSFETs | Si | Dual | 2 | 40 | ±20 | 7 | 17500 | 4 | 12(Max)@0V | 10(Min) | 1 | 1000 | 8 | SO | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2220UKTR Trans RF MOSFET 40V 4A 8-Pin SO |
|
Semelab | RF MOSFETs | Si | Dual Quad Source | 2 | 40 | ±20 | 17500 | 4 | 24(Max)@0V | 10(Min) | 1 | 5 | 2000 | 8 | SO | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D1053UK Trans RF MOSFET N-CH 70V 5A 9-Pin Case DB |
|
Semelab | RF MOSFETs | Si | N | Quad Common Source | 4 | 70 | ±20 | 175000 | 5 | 60(Max)@0V | 7.5(Min) | 400 | 1000 | 9 | Case DB | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZTX653/753DCSM
NPN/PNP DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
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Semelab | GP BJT | 6 | CLLCC-2 | LCC | No | No | No | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D1094UK Trans RF MOSFET N-CH 65V 6A 6-Pin SOT-171 |
|
Semelab | RF MOSFETs | Si | N | Single Quad Source | Enhancement | 1 | 65 | ±20 | 50000 | 6 | 72(Max)@0V | 11(Min) | 1 | 20 | 1000 | 6 | SOT-171 | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| D5011UK Trans RF MOSFET N-CH 125V 3A 8-Pin SO |
|
Semelab | RF MOSFETs | Si | N | Single Dual Drain Dual Gate Quad Source | Enhancement | 1 | 125 | ±20 | 30000 | 3 | 60(Max)@50V | 13(Min) | 1 | 1000 | 8 | SO | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUX49
Trans GP BJT NPN 90V 3.5A 10000mW 3-Pin TO-39
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Semelab | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Single | 90 | 1 | 3.5 | 10000 | 2 to 30 | 20@1.7A@4V | 3 | TO-39 | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D2218UK Trans RF MOSFET 40V 16A 3-Pin Case DP |
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Semelab | RF MOSFETs | Si | Single | 1 | 40 | ±20 | 7 | 70000 | 16 | 96(Max)@0V | 10(Min) | 0 | 1000 | 3 | Case DP | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV34-500M Diode Switching 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB |
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Semelab | Rectifiers | Switching Diode | Dual Common Cathode | 500 | 20 | 100 | 1.7 | 50 | 50 | 3 | TO-257AB | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUX54
Trans GP BJT NPN 400V 2A 10000mW 3-Pin TO-39
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Semelab | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 400 | 450 | 1 | 7 | 1.5@0.15A@1.2A | 2 | 10000 | 17.5 | 0.5@0.06A@0.6A|1.3@0.15A@1.2A | 3 | TO-39 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No |