Toshiba Diodi, transistor e tiristori
3.797 Toshiba Diodi, transistor e tiristori
Edit columns
Personalizza le colonne
Seleziona almeno 1 colonna
| N. parte | Prezzo | Scorte | Produttore | Categoria | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Surge Current Rating - (A) | Material | Configuration | Channel Type | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Minimum DC Current Gain | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Frequency Band | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Output Capacitance - (pF) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Drain-Source Resistance - (Ohm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Noise Figure - (dB) | Maximum Turn-On Time - (ns) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM6K514NU,LF(T
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
|
Scorte
2.990
Da $0.138 a $0.181
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain | N | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 12 | 7.5@4.5V | 1110@20V | 2500 | 11.6@10V | Tape and Reel | 6 | UDFN-B EP | DFN | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK12A60W,S5VX(J
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
|
Scorte
21
Da $0.927 a $1.38
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 11.5 | 25@10V | 25 | 890@300V | 35000 | 300@10V | DTMOSIV | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMH01(T2L,TEMQ)
Diode Switching 200V 3A 2-Pin M-FLAT T/R
|
Scorte
24
$0.293
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Single | 200 | 3 | 40 | 0.98 | 10 | 35 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K44MFV,L3XGF(T
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
8.000
Da $0.0687 a $0.162
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 0.1 | 8.5@3V | 150 | 4000@4V | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J331R,LF(T
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
|
Scorte
27.000
$0.0677
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 20 | ±8 | 1 | 4 | 10.4@4.5V | 630@10V | 2000 | 55@4.5V | Tape and Reel | 3 | SOT-23F | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK35A08N1,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
|
Scorte
10
Da $0.571 a $0.763
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 4 | 55 | 25@10V | 25 | 1700@40V | 30000 | 12.2@10V | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK5A90E,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
Scorte
39
Da $0.743 a $1.01
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 4.5 | 20@10V | 950@25V | 40000 | 3100@10V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J375F,LXHF
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini Automotive AEC-Q101
|
Scorte
75
$0.0655
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 20 | 6 | 2 | 4.6@4.5V | 270@10V | 1200 | 150@4.5V | 3 | S-Mini | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2712-BL,LXGF(T Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 |
Scorte
2.440
$0.598
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Single | 50 | 60 | 1 | 5 | 0.15 | 350@2mA@6V | 300 to 500 | 0.25@10mA@100mA | 150 | 3 | S-Mini | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK8A10K3,S5Q(M
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
Scorte
17
Da $0.667 a $0.891
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | 1 | 100 | 8 | 12.9 | 530 | 18000 | 120@10V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPCP8505(TE85L,F)
Trans GP BJT NPN 50V 3A 3000mW 8-Pin PS T/R
|
Scorte
1.765
Da $0.0976 a $0.108
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single Hex Collector | 50 | 100 | 1 | 7 | 1.1@20mA@1A | 3 | 200@1A@2V|400@0.3A@2V | 200 to 300|300 to 500 | 0.14@20mA@1A | 3000 | Tape and Reel | 8 | PS | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TW030N120C,S1F
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
Scorte
30
Da $21.6606 a $18.00
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | Single | N | Enhancement | 1 | 1200 | 25 | 60 | 82@18V | 2925@800V | 249000 | 40@18V | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRS09(T5L,TEMQ)
Diode Schottky 30V 1.5A 2-Pin S-FLAT T/R
|
Scorte
218
Da $0.0901 a $0.201
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 30 | 1.5@Ta=84C | 30 | 0.46 | 50 | 140°C/W | Tape and Reel | 2 | S-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM5N15FE(TE85L,F)
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 5-Pin ESV T/R
|
Scorte
1.530
Da $0.0911 a $0.389
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Dual Common Source | N | Enhancement | 2 | 30 | ±20 | 0.1 | 7.8@3V | 150 | 4000@4V | Tape and Reel | 5 | ESV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK40E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
|
Scorte
103
Da $0.698 a $1.92
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 4 | 40 | 49@10V | 49 | 3000@50V | 126000 | 8.2@10V | Magazine | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK58E06N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
|
Scorte
49
Da $0.777 a $1.03
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 4 | 105 | 46@10V | 46 | 3400@30V | 110000 | 5.4@10V | Magazine | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
SSM3K56MFV,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
|
Scorte
34.114
Da $0.0517 a $0.0575
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 20 | ±8 | 0.8 | 1@4.5V | 55@10V | 500 | 235@4.5V | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1106,LF(CT
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
|
Scorte
998
Da $0.0324 a $0.101
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | NPN | Single | 50 | 0.1 | 4.7 | 0.1 | 80@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | 100 | Tape and Reel | 3 | SSM | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK170V65Z,LQ(S
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 5-Pin DFN EP
|
Scorte
2.400
Da $1.45 a $3.39
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Single Triple Source | N | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 18 | 29@10V | 1635@300V | 150000 | 170@10V | 5 | DFN EP | DFN | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPC8132,LQ(S
Trans MOSFET P-CH Si 40V 7A 8-Pin SOP T/R
|
Scorte
16
$1.56
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | P | Enhancement | 1 | 40 | 20 | 7 | 34@10V | 34 | 1580@10V | 1900 | 25@10V | Tape and Reel | 8 | SOP | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK10Q60W,S1VQ
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
|
Scorte
65
$1.0241
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 9.7 | 20@10V | 20 | 700@300V | 80000 | 430@10V | Tube | 3 | IPAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK7J90E,S1E(S
Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
|
Scorte
2
$3.78
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 7 | 32@10V | 1350@25V | 200000 | 2000@10V | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK28A65W,S5X(M
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
Scorte
14
Da $3.11 a $3.67
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 27.6 | 75@10V | 3000@300V | 45000 | 110@10V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6N37FE,LM(T
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin ES T/R
|
Scorte
9.135
Da $0.0696 a $0.10
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Dual | N | Enhancement | 2 | 20 | ±10 | 0.25 | 12@10V | 150 | 2200@4.5V | Tape and Reel | 6 | ES | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HN4C51J(TE85L,F)
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
|
Scorte
2.139
Da $0.169 a $0.578
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Dual Common Base | 120 | 120 | 2 | 5 | 0.1 | 200@2mA@6V | 200 to 300 | 0.3@1mA@10mA | 300 | Tape and Reel | 5 | SMV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No |