Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
3.796 Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
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| N. parte | Prezzo | Scorte | Produttore | Categoria | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK70J20D,S1Q(O
Trans MOSFET N-CH Si 200V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
|
Scorte
70
Da $2.03 a $3.94
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 200 | ±20 | 3.5 | 410000 | 70 | 27@10V | 160@10V | 160 | 6950@100V | Tube | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS300,LXGF(T
Diode Switching Si 85V 0.1A 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
2.840
Da $0.0589 a $0.139
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Si | Dual Common Anode | 85 | 0.1 | 2 | 1.2 | 0.5 | 200 | 4 | 4 | Tape and Reel | 3 | USM | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK12Q60W,S1VQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
|
Scorte
64
Da $1.19 a $2.68
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 100000 | 11.5 | 340@10V | 25@10V | 25 | 890@300V | 3 | IPAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK16J60W,S1VQ(O
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
|
Scorte
2
$2.77
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 130000 | 15.8 | 190@10V | 38@10V | 1350@300V | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS307E,L3F(T
Diode Switching 85V 0.1A 2-Pin ESC T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
13.190
Da $0.0695 a $0.0828
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | 85 | Tape and Reel | 2 | ESC | SOD | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK068N65Z5,S1F
Silicon N-Channel MOSFET
|
Scorte
240
Da $4.3786 a $2.747
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPCA8120,L1Q(CM
Trans MOSFET P-CH Si 30V 45A 8-Pin SOP Advance T/R
|
Scorte
3.710
Da $0.63 a $1.86
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | P | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 30 | 20 | 2800 | 45 | 3@10V | 190@10V | 7420@10V | U-MOS VI | Tape and Reel | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK9R6E15Q5,S1X
Silicon N-channel MOSFET
|
Scorte
400
Da $1.2042 a $0.8346
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J35AFS,LF(T
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
|
Scorte
2.305
Da $0.0372 a $0.0423
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 500 | 0.25 | 1400@4.5V | 21@10V | 3 | SSM | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK090E65Z,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
Scorte
14
Da $3.35 a $3.96
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 230000 | 30 | 90@10V | 47@10V | 47 | 2780@300V | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1423TE85LF
Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
21.988
Da $0.1034 a $0.112
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | NPN | Single | 50 | 0.8 | 4.7 | 1 | 200 | 70@100mA@1V | 0.25@2mA@50mA|0.25@1mA@50mA | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HN2D01FU,LF(T
Diode Switching 85V 0.08A 6-Pin US T/R
|
Scorte
1.682
Da $0.0975 a $0.255
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Triple Parallel | 85 | 0.08 | 1 | 1.2@0.1A | 0.5 | 200 | 4 | Tape and Reel | 6 | US | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK25S06N1L,LQ(O
Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
|
Scorte
291
Da $0.465 a $0.90
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 3 | 57000 | 25 | 18.5@10V | 15@10V | 15 | 855@10V | 3 | DPAK | TO | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK560P65Y,RQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
Scorte
885
Da $0.534 a $1.57
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 60000 | 7 | 560@10V | 14.5@10V | 380@300V | 3 | DPAK | TO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK6R7P06PL,RQ(S2
Trans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
Scorte
145
Da $0.398 a $0.73
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 66000 | 74 | 6.7@10V | 13@4.5V|26@10V | 26 | 1990@30V | 3 | DPAK | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK13P25D,RQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
|
Scorte
6.000
Da $0.5241 a $0.5502
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 250 | ±20 | 96000 | 13 | 250@10V | 25@10V | 25 | 1100@100V | 3 | DPAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J135TU,LF(T
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
|
Scorte
28
$0.45
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 20 | ±8 | 500 | 3 | 103@4.5V | 4.6@4.5V | 270@10V | Tape and Reel | 3 | UFM | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TTA004B,Q(S
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack
|
Scorte
190
Da $0.214 a $0.479
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Power | Si | Single | 160 | 160 | 1 | 6 | 1.3@50mA@0.5A | 1.5 | 1500 | 50 to 120|120 to 200 | 80@1mA@5V|140@0.1A@5V | 17 | 0.5@50mA@0.5A | Sack | 3 | TO-126N | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK3R1A04PL,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
Scorte
157
Da $0.719 a $1.98
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 36000 | 82 | 3.1@10V | 29.7@4.5V|63.4@10V | 4670@20V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TTA007,LF(O
Trans GP BJT PNP 50V 1A 1100mW 3-Pin TSM T/R
|
Scorte
95
Da $0.158 a $0.324
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Power | Si | Single | 50 | 50 | 1 | 7 | 1.1@10mA@0.3A | 1 | 1100 | 120 to 200|200 to 300 | 200@0.1A@2V|125@0.3A@2V | 0.2@10mA@0.3A | Tape and Reel | 3 | TSM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TRS4E65F,S1Q
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
|
Scorte
18
$0.8965
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | SiC | Single | 650 | 4 | 39 | 1.6 | 20 | Tube | 2 | TO-220 | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1108MFV,L3F(T
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
|
Scorte
7.200
Da $0.0177 a $0.0236
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2110,LXGF(CT Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process |
Scorte
3.000
Da $0.0406 a $0.128
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | 3 | SSM | No | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN8R903NL,LQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
|
Scorte
375
Da $0.219 a $0.354
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 2.3 | 22000 | 37 | 8.9@10V | 4.4@4.5V|9.8@10V | 9.8 | 630@15V | U-MOS VIII-H | Tape and Reel | 8 | TSON Advance | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ43(T2L,TEM,Q)
Diode Zener Single 43V 10% 2000mW 2-Pin M-FLAT T/R
|
Scorte
18
$0.126
Per unità
|
Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 43 | 10% | 7 | 10 | 40 | 2000 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | No | No | No | EAR99 |