Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
3.722 Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
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| N. parte | Prezzo | Scorte | Produttore | Categoria | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Surge Current Rating - (A) | Material | Configuration | Channel Type | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Minimum DC Current Gain | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Frequency Band | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Output Capacitance - (pF) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Drain-Source Resistance - (Ohm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Noise Figure - (dB) | Maximum Turn-On Time - (ns) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TPH8R008NH,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 80V 63A 8-Pin SOP Advance T/R
|
Scorte
35
Da $0.699 a $0.869
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 4 | 63 | 35@10V | 35 | 2300@40V | 2800 | 8@10V | Tape and Reel | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2713-GR,LXGF(T
Silicon NPN Epitaxial Type Automotive AEC-Q101
|
Scorte
2.395
Da $0.0623 a $0.147
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SV280,H3F
Varactor Diode Single 15V 3.8pF 2-Pin ESC T/R
|
Scorte
12
Da $0.0513 a $0.1472
Per unità
|
Toshiba | Varactors | VCO | Single | 15 | 0.003 | 2 | 2V/10V | 3.8@2V | UHF | Tape and Reel | 2 | ESC | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK14G65W,RQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Scorte
875
Da $1.21 a $2.83
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 13.7 | 35@10V | 35 | 1300@300V | 130000 | 250@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K35AMFV,L3F
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
|
Scorte
6.836
Da $0.0218 a $0.1697
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 0.25 | 0.62@4.5V | 18@10V | 500 | 1100@4.5V | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N67NU,LF(T Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 6-Pin UDFN EP |
Scorte
1.715
Da $0.25 a $0.69
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Dual | N | Enhancement | 2 | 30 | 12 | 4 | 3.2@4.5V | 310@15V | 2000 | 39.1@4.5V | 6 | UDFN EP | DFN | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM5N15FE(TE85L,F)
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 5-Pin ESV T/R
|
Scorte
1.630
Da $0.0911 a $0.349
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Dual Common Source | N | Enhancement | 2 | 30 | ±20 | 0.1 | 7.8@3V | 150 | 4000@4V | Tape and Reel | 5 | ESV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MUZ8V2,LF
Zener Diode Single 8.2V 6% 30Ohm 600mW 3-Pin USM T/R
|
Scorte
5.900
$0.0299
Per unità
|
Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 8.2 | 6% | 5 | 0.1 | 30 | 600 | 67(Typ) | 600 | Tape and Reel | 3 | USM | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK1Q90A(Q) Trans MOSFET N-CH Si 900V 1A 3-Pin(3+Tab) New PW-Mold2 Bag |
Scorte
340
$1.12
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 1 | 13@10V | 13 | 320@25V | 20000 | 9000@10V | Bag | 3 | New PW-Mold2 | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN13008NH,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R
|
Scorte
3.675
Da $0.2429 a $0.263
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 4 | 40 | 18@10V | 18 | 1230@40V | 1900 | 13.3@10V | Tape and Reel | 8 | TSON Advance | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT15J341,S4X(S
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
|
Scorte
50
Da $1.16 a $1.95
Per unità
|
Toshiba | IGBT Chip | Single | N | ±25 | 600 | 15 | 30 | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TTC015B,Q(S)
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack
|
Scorte
39
$0.404
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 80 | 160 | 1 | 7 | 1.5@100mA@1A | 2 | 80@1mA@2V|100@0.5A@2V|60@1A@2V | 50 to 120 | 0.3@5mA@0.5A|0.5@100mA@1A | 1500 | Sack | 3 | TO-126N | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TPN2R203NC,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
|
Scorte
231.900
$0.2036
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 100 | 34@10V | 34 | 2230@15V | 1900 | 2.2@10V | Tape and Reel | 8 | TSON EP Advance | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K347R,LF
Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
|
Scorte
2
$0.0632
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 38 | ±20 | 2 | 2.5@10V | 2.5 | 86@10V | 2000 | 340@10V | Tape and Reel | 3 | SOT-23F | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K15ACT,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
|
Scorte
7.465
$1.09
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1.5 | 0.1 | 13.5@3V | 100 | 3600@4V | Tape and Reel | 3 | CST | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN8R903NL,LQ
Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
|
Scorte
2.312
Da $0.2729 a $0.3008
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 2.3 | 37 | 4.4@4.5V|9.8@10V | 9.8 | 630@15V | 1900 | 8.9@10V | Tape and Reel | 8 | TSON Advance | SON | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SJ305TE85LF
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
5.272
Da $0.241 a $0.758
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 0.2 | 92@3V | 200 | 4000@2.5V | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRS06(T5L,TEMQ)
Diode Schottky 20V 1A 2-Pin S-FLAT T/R
|
Scorte
2.250
Da $0.0855 a $0.224
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 20 | 1 | 20 | 0.36 | 1000 | 140°C/W | Tape and Reel | 2 | S-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HN2S01FU(TE85L,F)
Diode Small Signal Schottky 15V 0.2A 6-Pin US T/R
|
Scorte
1.499
Da $0.1099 a $0.27
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Small Signal Schottky Diode | Triple Parallel | 15 | 0.2 | 1 | 0.5@0.1A | 20 | 200 | Tape and Reel | 6 | US | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
CRS09(T5L,TEMQ)
Diode Schottky 30V 1.5A 2-Pin S-FLAT T/R
|
Scorte
318
Da $0.089 a $0.199
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 30 | 1.5@Ta=84C | 30 | 0.46 | 50 | 140°C/W | Tape and Reel | 2 | S-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1502(TE85L,F)
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
|
Scorte
77
Da $0.121 a $0.231
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | NPN | Dual Common Emitter | 50 | 0.1 | 10 | 1 | 50@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | 300 | Tape and Reel | 5 | SMV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2712-BL,LXGF(T Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101 |
Scorte
2.450
$0.59
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | 3 | S-Mini | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK1K9A60F,S4X
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
|
Scorte
19
$0.2988
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 14@10V | 14 | 490@300V | 30000 | 1900@10V | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK12A60W,S5VX(J
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
|
Scorte
21
Da $0.915 a $1.37
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 11.5 | 25@10V | 25 | 890@300V | 35000 | 300@10V | DTMOSIV | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC6126(TE12L,ZF)
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
|
Scorte
828
Da $0.0992 a $0.13
Per unità
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single Dual Collector | 50 | 120 | 1 | 6 | 1.1@33mA@1A | 3 | 250@0.3A@2V|100@1A@2V | 50 to 120|120 to 200|200 to 300 | 0.18@33mA@1A | 10.5 | 2500 | Tape and Reel | 4 | PW-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No |