Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
3.796 Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
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| N. parte | Prezzo | Scorte | Produttore | Categoria | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CMS11(TE12L,Q,M)
Diode Schottky 40V 2A 2-Pin M-FLAT T/R
|
Scorte
442
$0.1517
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 40 | 2@Ta=34C | 30 | 0.55 | 500 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1706,LF(T
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 5-Pin USV T/R
|
Scorte
3.000
Da $0.083 a $0.217
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | NPN | Dual Common Emitter | 50 | 0.1 | 4.7 | 0.1 | 200 | 80@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 5 | USV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6L35FE,LM(T
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.18A/0.1A 6-Pin ES T/R
|
Scorte
3.915
Da $0.105 a $0.277
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N|P | Dual | Enhancement | 2 | 20 | ±10 | 150 | 0.18@N Channel|0.1@P Channel | 3000@4V@N Channel|8000@4V@P Channel | 9.5@3V@N Channel|12.2@3V@P Channel | Tape and Reel | 6 | ES | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK30A06N1,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
|
Scorte
21
$0.804
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 25000 | 43 | 15@10V | 16@10V | 16 | 1050@30V | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS361FV,L3F(T
Diode Switching 85V 0.3A 3-Pin VESM T/R
|
Scorte
31.670
Da $0.0289 a $0.0728
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Dual Common Cathode | 85 | 0.3 | 2 | 1.2@0.1A | 0.5 | 150 | 4 | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SV280,H3F(T
Diode VAR Cap Single 15V 3.8pF 2-Pin ESC T/R
|
Scorte
2.119
Da $0.101 a $0.264
Per unità
|
Toshiba | Varactors | VCO | UHF | Single | 15 | 0.003 | 2 | 2V/10V | 3.8@2V | Tape and Reel | 2 | ESC | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MSZ20V,LF
Zener Diode Single 20V 6% 70Ohm 600mW 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
2.840
$0.0287
Per unità
|
Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 20 | 6% | 5 | 0.1 | 70 | 600 | 600 | 29(Typ) | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2502(TE85L,F)
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
|
Scorte
1.007
Da $0.0915 a $0.239
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | PNP | Dual Common Emitter | 50 | 0.1 | 10 | 1 | 300 | 50@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 5 | SMV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K72CTC,L3F
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.15A 3-Pin CST-C T/R
|
Scorte
15.516
Da $0.0288 a $0.0779
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 500 | 0.15 | 3900@10V | 0.27@4.5V | 11@10V | Tape and Reel | 3 | CST-C | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC5198-O(Q)
Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
|
Scorte
35
Da $1.28 a $2.63
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 140 | 140 | 1 | 5 | 10 | 100000 | 50 to 120 | 80@1A@5V | 2@0.7A@7A | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2421(TE85L,F)
Trans Digital BJT PNP 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
5.185
Da $0.182 a $0.417
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | PNP | Single | 50 | 0.8 | 1 | 1 | 200 | 60@100mA@1V | 0.25@2mA@50mA | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2105,LF(CT
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
300
Da $0.0429 a $0.114
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | PNP | Single | 50 | 0.1 | 2.2 | 0.047 | 100 | 80@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 3 | SSM | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
GT60PR21,STA1F(S
Silicon N-Channel IGBT
|
Scorte
1
$3.51
Per unità
|
Toshiba | IGBT Chip | Magazine | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
1SS196(TE85L,F)
Diode Switching 85V 0.3A 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
49
$0.157
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Single | 85 | 0.3 | 2 | 1.2@0.1A | 0.5 | 150 | 4 | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBS10S30,L3F(T
Diode Small Signal Schottky Si 30V 1A 2-Pin CST-B T/R
|
Scorte
400
$1.80
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Small Signal Schottky Diode | Si | Single | 30 | 1 | 3 | 0.45 | 500 | 135(Typ) | Tape and Reel | 2 | CST-B | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SA2070(TE12L,F)
Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
|
Scorte
16
$0.808
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Power | Si | Single Dual Collector | 50 | 50 | 1 | 7 | 1.1@0.01A@0.3A | 1 | 1000 | 120 to 200|200 to 300 | 200@0.1A@2V|125@0.3A@2V | 0.2@0.01A@0.3A | Tape and Reel | 4 | PW-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CSLZ6V8,L3F | 6.8V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Diode Zener Single 6.8V 6% 400mW 2-Pin SL T/R
|
Scorte
7.340
Da $0.0086 a $0.0817
Per unità
|
Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 6.8 | 6% | 5 | 0.5 | 30 | 400 | 400 | Tape and Reel | 2 | SL | SOD | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK880-Y(TE85L,F)
Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin USM T/R
|
Scorte
1.595
Da $0.256 a $0.828
Per unità
|
Toshiba | JFETs | Si | N | Single | -50 | 100 | 3 | 5(Typ) | Tape and Reel | 3 | USM | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2906,LF(CT
Silicon PNP Epitaxial Type
|
Scorte
3.000
Da $0.0397 a $0.109
Per unità
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Toshiba | BJT digitale | Tape and Reel | 6 | US | No | No | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
TK39A60W,S4VX(M
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
Scorte
78
Da $2.87 a $4.45
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 50000 | 38.8 | 65@10V | 110@10V | 110 | 4100@300V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRS30I40A(TE85L,QM
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin S-FLAT T/R
|
Scorte
34
$0.0767
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 40 | 3 | 25 | 0.55 | 100 | 2 | S-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K344R,LF(T
Trans MOSFET N-CH Si 20V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
|
Scorte
6.000
$0.0478
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 20 | ±8 | 2000 | 3 | 71@4.5V | 2@4V | 153@10V | Tape and Reel | 3 | SOT-23F | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN19008QM,LQ
Trans MOSFET N-CH Si 80V 34A 8-Pin TSON EP Advance T/R
|
Scorte
222
$0.1805
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 2670 | 34 | 19@10V | 9.7@6V|16@10V | 1020@40V | Tape and Reel | 8 | TSON EP Advance | SON | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH6R004PL,LQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 40V 49A 8-Pin SOP Advance
|
Scorte
613
Da $0.283 a $0.782
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 1800 | 49 | 6@10V | 15@4.5V|30@10V | 2100@20V | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPCP8407,LF(O
Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 5A/4A 8-Pin PS T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
151
Da $0.329 a $0.737
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N|P | Dual Dual Drain | Enhancement | 2 | 40 | ±20@N Channel|10@P Channel | 3 | 1770 | 5@N Channel|4@P Channel | 36.3@10V@N Channel|56.8@10V@P Channel | 11.8@10V@N Channel|18@10V@P Channel | 11.8@N Channel|18@P Channel | 505@10V@N Channel|810@10V@P Channel | Tape and Reel | 8 | PS | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No |