Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
3.797 Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
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| N. parte | Prezzo | Scorte | Produttore | Categoria | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Surge Current Rating - (A) | Material | Configuration | Channel Type | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Minimum DC Current Gain | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Frequency Band | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Output Capacitance - (pF) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Drain-Source Resistance - (Ohm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Noise Figure - (dB) | Maximum Turn-On Time - (ns) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSLZ6V8,L3F | 6.8V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Diode Zener Single 6.8V 6% 400mW 2-Pin SL T/R
|
Scorte
7.340
Da $0.0086 a $0.0817
Per unità
|
Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 6.8 | 6% | 5 | 0.5 | 30 | 400 | 400 | Tape and Reel | 2 | SL | SOD | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK7P60W5,RVQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
Scorte
1.504
Da $0.549 a $1.62
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4.5 | 7 | 16@10V | 16 | 490@300V | 60000 | 670@10V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK208-Y(TE85L,F)
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
|
Scorte
1.623
Da $0.237 a $0.378
Per unità
|
Toshiba | JFETs | Si | Single | N | 1 | -50 | 8.2 | 100 | 0.5(Typ) | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK58E06N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
|
Scorte
49
Da $0.777 a $1.03
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 4 | 105 | 46@10V | 46 | 3400@30V | 110000 | 5.4@10V | Magazine | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MUZ8V2,LF
Zener Diode Single 8.2V 6% 30Ohm 600mW 3-Pin USM T/R
|
Scorte
5.900
$0.0299
Per unità
|
Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 8.2 | 6% | 5 | 0.1 | 30 | 600 | 67(Typ) | 600 | Tape and Reel | 3 | USM | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH5900CNH,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
|
Scorte
7.579
Da $0.414 a $0.696
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 150 | ±20 | 4 | 18 | 7@10V | 7 | 460@75V | 42000 | 59@10V | Tape and Reel | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMH01(T2L,TEMQ)
Diode Switching 200V 3A 2-Pin M-FLAT T/R
|
Scorte
24
$0.293
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Switching Diode | Single | 200 | 3 | 40 | 0.98 | 10 | 35 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK14G65W,RQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Scorte
875
Da $1.23 a $2.87
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 13.7 | 35@10V | 35 | 1300@300V | 130000 | 250@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPCP8505(TE85L,F)
Trans GP BJT NPN 50V 3A 3000mW 8-Pin PS T/R
|
Scorte
1.765
Da $0.0976 a $0.108
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single Hex Collector | 50 | 100 | 1 | 7 | 1.1@20mA@1A | 3 | 200@1A@2V|400@0.3A@2V | 200 to 300|300 to 500 | 0.14@20mA@1A | 3000 | Tape and Reel | 8 | PS | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK12A60W,S5VX(J
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
|
Scorte
21
Da $0.927 a $1.38
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 11.5 | 25@10V | 25 | 890@300V | 35000 | 300@10V | DTMOSIV | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K44MFV,L3XGF(T
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
|
Scorte
8.000
Da $0.0687 a $0.162
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 0.1 | 8.5@3V | 150 | 4000@4V | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6K514NU,LF(T
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
|
Scorte
2.990
Da $0.138 a $0.181
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain | N | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 12 | 7.5@4.5V | 1110@20V | 2500 | 11.6@10V | Tape and Reel | 6 | UDFN-B EP | DFN | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K36MFV,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
|
Scorte
24
$0.0958
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 0.5 | 1.23@4V | 46@10V | 150 | 630@5V | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN4R203NC,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 30V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R
|
Scorte
5.000
Da $0.235 a $0.652
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 53 | 24@10V | 24 | 1370@15V | 22000 | 4.2@10V | U-MOS VIII | Tape and Reel | 8 | TSON EP Advance | SON | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K35AMFV,L3F
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
|
Scorte
6.836
Da $0.0232 a $0.1791
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 20 | ±10 | 0.25 | 0.62@4.5V | 18@10V | 500 | 1100@4.5V | Tape and Reel | 3 | VESM | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HN4C06J-GR(TE85L,F
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
|
Scorte
5
$0.507
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Dual Common Emitter | 120 | 120 | 2 | 5 | 0.1 | 200@2mA@6V | 200 to 300 | 0.3@1mA@10mA | 300 | Tape and Reel | 5 | SMV | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2705JE(TE85L,F)
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 5-Pin ESV T/R
|
Scorte
3.215
Da $0.0891 a $0.233
Per unità
|
Toshiba | BJT digitale | PNP | Dual Common Emitter | 50 | 0.1 | 2.2 | 0.0468 | 80@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | 200 | Tape and Reel | 5 | ESV | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J375F,LXHF
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini Automotive AEC-Q101
|
Scorte
75
$0.0655
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 20 | 6 | 2 | 4.6@4.5V | 270@10V | 1200 | 150@4.5V | 3 | S-Mini | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2712-BL,LXGF(T Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 |
Scorte
2.440
$0.598
Per unità
|
Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Single | 50 | 60 | 1 | 5 | 0.15 | 350@2mA@6V | 300 to 500 | 0.25@10mA@100mA | 150 | 3 | S-Mini | SOT | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J331R,LF(T
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
|
Scorte
27.000
$0.0677
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 20 | ±8 | 1 | 4 | 10.4@4.5V | 630@10V | 2000 | 55@4.5V | Tape and Reel | 3 | SOT-23F | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK35A08N1,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
|
Scorte
10
Da $0.571 a $0.763
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 4 | 55 | 25@10V | 25 | 1700@40V | 30000 | 12.2@10V | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPW1500CNH,L1Q(M Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP Advance T/R |
Scorte
5.000
Da $1.35 a $3.15
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 150 | ±20 | 4 | 50 | 22@10V | 22 | 1700@75V | 2500 | 15.4@10V | Tape and Reel | 8 | DSOP Advance | SO | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMS16(TE12L,Q,M)
Diode Schottky 40V 3A 2-Pin M-FLAT T/R
|
Scorte
2.522
Da $0.70 a $0.897
Per unità
|
Toshiba | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 40 | 3 | 30 | 0.55 | 200 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK5A90E,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
Scorte
39
Da $0.743 a $1.01
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 4.5 | 20@10V | 950@25V | 40000 | 3100@10V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPWR8004PL,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R
|
Scorte
4.808
Da $2.86 a $2.95
Per unità
|
Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 2.4 | 340 | 49@4.5V|103@10V | 103 | 7370@20V | 3000 | 0.8@10V | Tape and Reel | 8 | DSOP Advance | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No |