Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors

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8.160 Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors

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N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Maximum Breakover Voltage - (V) Category Bridge Type Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Material Frequency Band Diode Type Channel Type Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Configuration Channel Mode Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Continuous Forward Current - (A) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Peak RMS Reverse Voltage - (V) Number of Elements per Chip Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Peak On-State Voltage - (V) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) RMS On-State Current - (A) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Rated Average On-State Current - (A) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Typical Power Gain - (dB) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Maximum Frequency - (MHz) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Maximum Breakover Voltage - (V) Category Bridge Type Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Material Frequency Band Diode Type Channel Type Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Configuration Channel Mode Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Continuous Forward Current - (A) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Peak RMS Reverse Voltage - (V) Number of Elements per Chip Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Peak On-State Voltage - (V) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) RMS On-State Current - (A) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Rated Average On-State Current - (A) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Typical Power Gain - (dB) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Maximum Frequency - (MHz) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
F1225R12KT4GBOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 160W 38-Pin ECONO3-4 Tray
Per unità
$96.79
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Scorte 10
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Infineon Technologies AG moduli IGBT N Array 12 ±20 1200 25 160 Tray 38 ECONO3-4 No Unknown No No No No EAR99 Yes No
FP35R12KT4BOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210W 23-Pin ECONO2-4
Per unità
$64.60
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Scorte 3
$64.60
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Infineon Technologies AG moduli IGBT N Hex ±20 1200 35 210 23 ECONO2-4 No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
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BCR198WH6327XTSA1 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Scorte 139
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Infineon Technologies AG BJT digitale PNP Single 50 0.1 47 1 250 70@5mA@5V 0.3@0.5mA@10mA Tape and Reel 3 SOT-323 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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Quantità per unità: 1
Scorte 1
$0.0223
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Infineon Technologies AG PIN Attenuator|Switch HF|MF|SHF|UHF|VHF Dual Common Cathode 150 100 1.35@100mA 1.1@50mA 20@1mA 250 0.35@20V 1.55 Tape and Reel 3 SOT-23 SOT No Unknown No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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IRLML2246TRPBF Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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25+
$0.0800
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Scorte 39
Da $0.08 a $0.2752
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET P Single Enhancement 1 20 ±12 1300 2.6 135@4.5V 2.9@4.5V 220@16V Tape and Reel 3 SOT-23 SOT No Unknown No No No No EAR99 No
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$0.1895
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Scorte 3.000
$0.1895
Per unità
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Infineon Technologies AG RF BJT NPN Si Single Dual Emitter 4.5 15 1 1.5 0.06 2V/20mA 210 50 to 120 60@20mA@4V 0.15 21 12(Typ) 22 25000(Typ) 1.1(Typ) Tape and Reel 4 SOT-343 SOT No Yes No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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BFR380FH6327XTSA1 Trans RF BJT NPN 6V 0.08A 380mW 3-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
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$0.1496
Quantità per unità: 3000
Scorte 3.000
$0.1496
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG RF BJT NPN Si Single 6 15 1 2 0.08 3V/40mA 380 50 to 120 90@40mA@3V 0.5 13.5 19.5(Typ) 29 14000(Typ) 1.6(Typ) Tape and Reel 3 TSFP No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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FF300R12KS4HOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
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$158.2477
Quantità per unità: 1
Scorte 74
$158.2477
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT N Dual ±20 1200 370 1950 Tray 7 62MM-1 No No No No No EAR99 No No
IRF2903ZSPBF Trans MOSFET N-CH Si 30V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Per unità
$1.605
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 6
$1.605
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET Si N Single Enhancement 1 30 ±20 231000 235 2.4@10V 160@10V 160 6320@25V 1.9@10V Tube 3 D2PAK TO No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
DD171N18KHPSA1 Diode 1.8KV 171A 3-Pin PB34-1 Tray
Per unità
$136.63
Quantità per unità: 1
Scorte 1
$136.63
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Dual Series 1800 171 6600 1.26@500A 20000 Tray 3 PB34-1 Unknown No No No No EAR99 No
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BFS17WH6327XTSA1 Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Nastri
1+
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Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 1
$0.0512
Per unità
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Infineon Technologies AG RF BJT NPN Si Single 15 25 1 2.5 0.025 5V/20mA 280 2 to 30|30 to 50 40@2mA@1V|20@25mA@1V 0.55 14 0.4@1mA@10mA 11(Typ) 22.5 2500(Typ) 5 Tape and Reel 3 SOT-323 SOT No Yes No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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BCR08PNH6327XTSA1 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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$0.0689
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 18.000
Da $0.0689 a $0.141
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disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG BJT digitale PNP|NPN Dual 50 0.1 2.2 0.047 250 70@5mA@5V 0.3@0.5mA@10mA Tape and Reel 6 SOT-363 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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IRL6372TRPBF Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
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Nastri
1+
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$0.3066
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$0.2550
500+
$0.2525
1000+
$0.2453
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Quantità per unità: 1
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Scorte 2.838
Da $0.2453 a $0.3281
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Dual Dual Drain Enhancement 2 30 ±12 62.5 2000 8.1 17.9@4.5V 11@4.5V 1020@25V 14@4.5V|17@2.5V Tape and Reel 8 SOIC SO No No No No No EAR99 No
IPI80N03S4L03AKSA1 Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101
Per unità
$0.5201
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 442
$0.5201
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 30 ±16 136000 80 2.7@10V 110@10V 110 7500@25V 2@10V|2.3@10V|2.5@4.5V|2.8@4.5V Tube 3 TO-262 TO No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 Yes Yes
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IRF7309TRPBF Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
4000+
$0.2474
8000+
$0.2449
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$0.2424
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$0.2401
Quantità per unità: 4000
Scorte 52.000
Da $0.2401 a $0.2474
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N|P Dual Dual Drain Enhancement 2 30 ±20 1 1400 4@N Channel|3@P Channel 50@10V@N Channel|100@10V@P Channel 25(Max)@4.5V 520@15V@N Channel|440@15V@P Channel Tape and Reel 8 SOIC SO No Unknown No No No No EAR99 No
IPZ60R037P7XKSA1 Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Per unità
$3.118
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 42
$3.118
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Dual Source Enhancement 1 600 20 4 255000 76 37@10V 121@10V 121 5243@400V 4 TO-247 TO No No No No EAR99 No
IPI076N12N3GAKSA1 Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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$2.9263
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$1.5868
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$1.3272
Quantità per unità: 1
Scorte 800
Da $1.3272 a $2.9263
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 120 ±20 4 188000 100 7.6@10V 76@10V 76 4990@60V 6.5@10V Tube 3 TO-262 TO No No Unknown Yes Unknown EAR99 Yes Yes
IPD65R660CFDAATMA1 Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Per unità
$0.6551
Quantità per unità: 2500
Scorte 2.500
$0.6551
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 650 20 62 4.5 62500 6 660@10V 20@10V 2 20 543@100V 594@10V Tape and Reel 3 DPAK TO No Unknown No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 Yes Yes
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IGW50N65F5FKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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$1.6177
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Quantità per unità: 1
Scorte 3.880
Da $1.6177 a $4.4763
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG IGBT Chip N Single ±20 650 80 305 Tube 3 TO-247 TO No No No No No EAR99 No No
DD540N26KHPSA1 Diode 2.6KV 540A 3-Pin PB60-1 Tray
Per unità
$370.00
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 2
$370.00
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG Rectifiers Dual Series 2600 540 16500 1.48@1700A 40000 Tray 3 PB60-1 No No No No EAR99 No No
FP10R06W1E3BOMA1 IGBT Power Module
1+
$32.00
5+
$31.40
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 23
Da $31.40 a $32.00
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT 600 Tray 15 EASY1B-1 No No No No No EAR99 No
IPP65R600C6XKSA1 Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Per unità
$0.4473
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 332
$0.4473
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 700 20 63000 7.3 600@10V 23@10V 23 440@100V CoolMOS Tube 3 TO-220 TO No No No No No EAR99 No No
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BFP450H6327XTSA1 Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 500mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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$0.2861
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$0.2657
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$0.2533
1000+
$0.2432
More Inventory
Quantità per unità: 1
Scorte 4.098
Da $0.2432 a $0.519
Per unità
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Infineon Technologies AG RF BJT NPN Si Single Dual Emitter 4.5 15 1 1.5 0.17 3V/90mA 500 50 to 120 60@50mA@4V|50@90mA@3V 0.48 35.5 19(Typ) 31 24000(Typ) 2.05(Typ) Tape and Reel Unknown 4 SOT-343 SOT No Yes No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
DD435N34KHPSA1 Rectifier Diode
Per unità
$397.00
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 2
$397.00
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG Rectifiers Dual Series 3400 Tray 3 PB60-1 Unknown No No No No EAR99 No No
Più comprati
BFR93AE6327HTSA1 Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
1+
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$0.1597
100+
$0.1257
500+
$0.1218
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Quantità per unità: 1
Scorte 1.684
Da $0.1218 a $0.2595
Per unità
Spedisce domani
Infineon Technologies AG RF BJT NPN Si Single 12 20 1 2 0.09 8V/30mA 300 50 to 120 70@30mA@8V 0.54 14.5 6(Typ) 15 6000(Typ) 2.6(Typ) Tape and Reel 3 SOT-23 SOT No Yes No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No

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