Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors

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N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Breakover Voltage - (V) Material Category Bridge Type Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Frequency Band Diode Type Channel Type Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Configuration Channel Mode Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Number of Elements per Chip Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak On-State Voltage - (V) Peak Average Forward Current - (A) Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Continuous Forward Current - (A) Maximum Continuous DC Collector Current - (mA) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Peak RMS Reverse Voltage - (V) Mode of Operation Typical Input Resistance - (kOhm) Rated Average On-State Current - (A) Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Holding Current - (mA) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Continuous Drain Current - (mA) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Peak Reverse Current - (uA) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Maximum Diode Capacitance - (pF) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Typical Carrier Life Time - (us) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) RMS On-State Current - (A) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Input Capacitance - (pF) Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Maximum Transition Frequency - (MHz) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Maximum Frequency - (MHz) Typical Power Gain - (dB) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
N. parte Prezzo Scorte Produttore Categoria Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Breakover Voltage - (V) Material Category Bridge Type Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Frequency Band Diode Type Channel Type Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Configuration Channel Mode Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Number of Elements per Chip Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak On-State Voltage - (V) Peak Average Forward Current - (A) Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Continuous Forward Current - (A) Maximum Continuous DC Collector Current - (mA) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Peak RMS Reverse Voltage - (V) Mode of Operation Typical Input Resistance - (kOhm) Rated Average On-State Current - (A) Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Holding Current - (mA) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Continuous Drain Current - (mA) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Peak Reverse Current - (uA) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Maximum Diode Capacitance - (pF) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Typical Carrier Life Time - (us) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) RMS On-State Current - (A) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Input Capacitance - (pF) Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Maximum Transition Frequency - (MHz) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Maximum Frequency - (MHz) Typical Power Gain - (dB) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
DD171N12KHPSA1 Diode 1.2KV 171A 3-Pin PB34-1 Tray
Per unità
$63.93
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 1
$63.93
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Dual Series 1200 171 6600 1.26@500A 20000 Tray 3 PB34-1 Unknown No No No No EAR99 No
AUIRFB4610 Trans MOSFET N-CH Si 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
92+
$0.8229
100+
$0.7702
250+
$0.7307
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 350
Da $0.7307 a $0.8229
Per unità
disponibili per la spedizione 3 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Si Power MOSFET N Single Enhancement 1 190000 100 73 ±20 4 14@10V 90@10V 90 3550@50V 11@10V Tube 3 TO-220AB TO No Yes No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
AUIRFR8405TRL Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
1+
$3.45
10+
$2.20
50+
$1.78
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 3.000
Da $1.78 a $3.45
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Si Power MOSFET N Single Enhancement 1 163000 40 211 ±20 3.9 1.98@10V 103@10V 103 5171@25V Tape and Reel 3 DPAK TO No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 Yes Yes
FP50R12KT4GBOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Per unità
$75.05
Quantità per unità: 1
Scorte 9
$75.05
Per unità
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Infineon Technologies AG moduli IGBT N Hex ±20 1200 50 280 Tray 35 ECONO3-3 No Unknown No No No No EAR99 No
IRGSL4062DPBF Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Per unità
$2.398
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 112
$2.398
Per unità
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Infineon Technologies AG IGBT Chip N Single ±20 600 48 25 Tube 3 TO-262 TO No No No No No EAR99 Yes Yes
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IRLML6402TRPBF Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+
$0.0821
12000+
$0.0814
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 15.509
Da $0.0814 a $0.182
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Si Power MOSFET P Single Enhancement 1 1300 20 3.7 ±12 100 1.2 65@4.5V 8@5V 145 633@10V 50@4.5V|80@2.5V Tape and Reel 3 SOT-23 SOT No Yes No No No No EAR99 Yes No
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$0.3094
Quantità per unità: 1
Scorte 7
$0.3094
Per unità
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Infineon Technologies AG RF BJT NPN Si Single 1 12 20 175 2 0.02 8V/5mA 50 to 120 70@5mA@8V 0.35 8000(Typ) 0.29 19 1.2(Min) Tape and Reel 3 SOT-323 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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$0.4691
Nastri
1+
$0.4691
More Inventory
Quantità per unità: 1
Scorte 6.008
$0.4691
Per unità
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Infineon Technologies AG RF BJT NPN SiGe Single Dual Emitter 1 2.3 7.5 185 1.2 0.08 2V/50mA 50 to 120 110@50mA@1.5V 0.46 65000(Typ) 0.12 14.5(Typ) 21.5 25.5 1.3(Min) Tape and Reel 4 SOT-343 SOT No Unknown No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
IPS65R1K0CEAKMA1 Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Per unità
$0.1985
Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 1.392
$0.1985
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET N Single Enhancement 1 68000 650 7.2 20 3.5 1000@10V 15.3@10V 15.3 328@100V 860@10V Tube 3 TO-251 TO No No No No EAR99 Yes Yes
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$107.80
CALCOLA PREVENTIVO
Da $107.80 a $115.40
Per unità
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Hex ±20 1200 135 500 Tray 20 ECONO4-1 No No Unknown Yes Unknown EAR99 No
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IDH10G120C5XKSA1 Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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500+
$5.16
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Scorte 690
Da $5.16 a $5.29
Per unità
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Infineon Technologies AG Rectifiers Schottky Diode Single 1200 31.9 99 165000 1.8@10A 62 Tube 2 TO-220 TO No No No No No EAR99 No No
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IRFS3307ZTRLPBF Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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$2.74
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 2.326
Da $2.74 a $4.25
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG MOSFETs Si Power MOSFET N Single Enhancement 1 230000 75 128 ±20 4 5.8@10V 79@10V 79 4750@50V 4.6@10V Tape and Reel 3 D2PAK TO No No No No No EAR99 Yes Yes
BCM856SH6433XTMA1 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Per unità
$0.063
Quantità per unità: 1
Scorte 19.364
$0.063
Per unità
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Infineon Technologies AG GP BJT PNP Si Bipolar Small Signal Dual 2 65 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.85(Typ)@5mA@100mA 80 250 5 0.1 200 to 300 200@2mA@5V 8 3 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA 10 Tape and Reel 6 SOT-363 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No
BCR158WH6327XTSA1 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
3000+
$0.1328
6000+
$0.1012
9000+
$0.0926
12000+
$0.0844
15000+
$0.0773
Quantità per unità: 3000
FUORI PRODUZIONE
Scorte 21.000
Da $0.0773 a $0.1328
Per unità
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Infineon Technologies AG BJT digitale PNP Single 50 0.1 2.2 250 0.047 70@5mA@5V 0.3@0.5mA@10mA Tape and Reel 3 SOT-323 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
IKB20N60H3ATMA1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
1+
$2.47
10+
$1.59
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$1.56
100+
$1.06
500+
$1.03
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Scorte 865
Da $1.03 a $2.47
Per unità
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Infineon Technologies AG IGBT Chip N Single ±20 600 40 170 Tape and Reel 3 D2PAK TO No No Unknown Yes Unknown EAR99 Yes Yes
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$0.0875
21000+
$0.0865
30000+
$0.0856
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Quantità per unità: 3000
Scorte 42.000
Da $0.0856 a $0.0935
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG RF BJT NPN Si Single Dual Emitter 1 12 20 450 2 0.065 8V/15mA 50 to 120 70@15mA@8V 1.1 8000(Typ) 0.34 22 1.4(Typ) Tape and Reel 4 SOT-343 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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10+
$134.00
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 10
Da $134.00 a $154.00
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Hex ±20 1200 100 355 Tray 35 ECONO3-4 No Unknown No No No No EAR99 Yes No
F1225R12KT4GBOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 160W 38-Pin ECONO3-4 Tray
Per unità
$96.79
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 10
$96.79
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Array 12 ±20 1200 25 160 Tray 38 ECONO3-4 No Unknown No No No No EAR99 Yes No
FP35R12KT4BOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210W 23-Pin ECONO2-4
Per unità
$64.60
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 3
$64.60
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Hex ±20 1200 35 210 23 ECONO2-4 No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
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1+
$0.0414
10+
$0.0408
25+
$0.0401
100+
$0.0394
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Quantità per unità: 1
Scorte 139
Da $0.0394 a $0.0414
Per unità
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Infineon Technologies AG BJT digitale PNP Single 50 0.1 47 250 1 70@5mA@5V 0.3@0.5mA@10mA Tape and Reel 3 SOT-323 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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BAR6405E6327HTSA1 Diode PIN Attenuator/Switch 150V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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$0.0223
Nastri
1+
$0.0223
Quantità per unità: 1
Scorte 1
$0.0223
Per unità
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Infineon Technologies AG PIN Attenuator|Switch HF|MF|SHF|UHF|VHF 150 Dual Common Cathode 100 1.35@100mA 250 20@1mA 1.1@50mA 0.35@20V 1.55 Tape and Reel 3 SOT-23 SOT No Unknown No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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25+
$0.0800
Nastri
1+
$0.2752
10+
$0.1539
25+
$0.0800
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Quantità per unità: 1
FUORI PRODUZIONE
Scorte 39
Da $0.08 a $0.2752
Per unità
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Infineon Technologies AG MOSFETs Power MOSFET P Single Enhancement 1 1300 20 2.6 ±12 135@4.5V 2.9@4.5V 220@16V Tape and Reel 3 SOT-23 SOT No Unknown No No No No EAR99 No
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$0.1895
Quantità per unità: 3000
Scorte 3.000
$0.1895
Per unità
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Infineon Technologies AG RF BJT NPN Si Single Dual Emitter 1 4.5 15 210 1.5 0.06 2V/20mA 50 to 120 60@20mA@4V 25000(Typ) 0.15 12(Typ) 21 22 1.1(Typ) Tape and Reel 4 SOT-343 SOT No Yes No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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BFR380FH6327XTSA1 Trans RF BJT NPN 6V 0.08A 380mW 3-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
10+
$0.149
50+
$0.103
Incrementi di 1 pieces.
Scorte 29.660
Da $0.103 a $0.149
Per unità
disponibili per la spedizione 4 domani
Infineon Technologies AG RF BJT NPN Si Single 1 6 15 380 2 0.08 3V/40mA 50 to 120 90@40mA@3V 1 14000(Typ) 0.5 19.5(Typ) 13.5 29 1.6(Typ) Tape and Reel 3 TSFP No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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FF300R12KS4HOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
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$157.8005
Quantità per unità: 1
Scorte 74
$157.8005
Per unità
disponibili per la spedizione 2 domani
Infineon Technologies AG moduli IGBT N Dual ±20 1200 370 1950 Tray 7 62MM-1 No No No No No EAR99 No No

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