| RoHS (Union Européenne) | Compliant with Exemption |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | SiC |
| Configuration | Dual |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 1200 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 20 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 5.15 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 100 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 400 |
| IDSS maximal (uA) | 380 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 8.1(Typ)@18V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 297@18V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 8800@800V |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 28@800V |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 3.45 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 420 |
| Temps de descente type (ns) | 20 |
| Temps de montée type (ns) | 70 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 73 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 53 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tray |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 20 |
| Tension type directe de diode (V) | 4.2 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 5.35 |
| Tension seuil de barrière type (V) | 4.3 |
| Installation | Screw |
| Hauteur du paquet | 12.25 mm |
| Largeur du paquet | 33.8 mm |
| Longueur du paquet | 62.8 mm |
| Carte électronique changée | 18 |
| Décompte de broches | 18 |
