Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors

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N° de référence Prix Stock Fabricant Catégorie Type Technology Number of SCRs/Diodes Maximum Breakover Voltage - (V) Category Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) Material Frequency Band Channel Type Repetitive Peak Off-State Current - (mA) Configuration Channel Mode Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) Maximum Reverse Voltage - (V) Maximum Gate Trigger Voltage - (V) Maximum Gate Emitter Voltage - (V) Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) Surge Current Rating - (A) Peak Average Forward Current - (A) Number of Elements per Chip Maximum Reverse Current - (uA) Maximum Gate Trigger Current - (mA) Maximum Continuous Forward Current - (mA) Maximum Collector-Base Voltage - (V) Mode of Operation Minimum Tuning Ratio Maximum Holding Current - (mA) Maximum Base-Emitter Voltage - (V) Typical Input Resistance - (kOhm) Tuning Ratio Test Condition Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) Maximum Forward Voltage - (V) Maximum Drain-Source Voltage - (V) Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Resistor Ratio Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) Peak Reverse Current - (uA) Minimum Quality Factor Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) Maximum Reverse Leakage Current - (uA) Maximum Gate-Source Voltage - (V) Maximum DC Collector Current - (A) Maximum Continuous DC Collector Current - (A) Operational Bias Conditions Minimum Diode Capacitance - (pF) Maximum Gate Threshold Voltage - (V) Peak On-State Voltage - (V) Maximum Diode Capacitance - (pF) Maximum Continuous Drain Current - (A) Typical Carrier Life Time - (us) Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) Peak Reverse Recovery Time - (ns) Minimum DC Current Gain Range Minimum DC Current Gain Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) Rated Average On-State Current - (A) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance RMS On-State Current - (A) Maximum Junction Case Thermal Resistance Typical Input Capacitance - (pF) Typical Gate Charge @ 10V - (nC) Maximum Power Dissipation - (mW) Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) Typical Output Capacitance - (pF) Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) Minimum Frequency - (MHz) Maximum Output Power - (W) Maximum Power 1dB Compression - (dBm) Typical Power Gain - (dB) Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) Maximum Transition Frequency - (MHz) Maximum Noise Figure - (dB) Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) Process Technology Packaging Rad Hard Pin Count Supplier Package Standard Package Name CECC Qualified ESD Protection ESCC Qualified Military AEC Qualified AEC Qualified Number Auto motive P PAP ECCN Code SVHC SVHC Exceeds Threshold
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 250 ±20 4 25 60@10V 22@10V 22 125000 1770@100V 50@10V Tape and Reel 8 TDSON EP SON No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
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FP50R12KT4GBOSA1 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
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Infineon Technologies AG Module IGBT N Hex ±20 1200 50 280 Tray 35 ECONO3-3 No Unknown No No No No EAR99 No
SPD02N80C3ATMA1 Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Stock 28 397
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET N Single Enhancement 1 800 ±20 3.9 2 2700@10V 12@10V 62 12 42000 290@100V 2400@10V Tape and Reel 3 DPAK TO No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET N Single Enhancement 1 500 20 3.5 11.1 500@13V 18.7@10V 80 18.7 28000 433@100V 450@13V Tube 3 TO-220FP TO Unknown No No No No EAR99 No No
IPB100N06S2L05ATMA2 Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Stock 3 265
De $2.367 à $3.143
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET N Single Enhancement 1 55 ±20 2 100 4.4@10V 170@10V 0.5 170 300000 5660@25V 4@4.5V|4.3@4.5V|3.2@10V|3.5@10V Tape and Reel 3 D2PAK TO No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 Yes Yes
IPT60R028G7XTMA1 Trans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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De $7.8538 à $4.049
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET N Single Seven Source Enhancement 1 600 20 4 75 28@10V 123@10V 62 0.32 123 391000 4820@400V 24@10V Tape and Reel 9 HSOF SO No No No No EAR99 No No
IGT65R035D2ATMA1 Enhancement-Mode Power GaN Transistor
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Bout de bobine coupée
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Infineon Technologies AG MOSFET 8 HSOF EP SO No No No EAR99 Yes Yes
BAW156E6327HTSA1 Diode Switching 85V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Par unité
$0.1767
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Infineon Technologies AG Rectifiers Switching Diode Dual Common Anode 85 0.2 4.5 1.25@0.15A 0.005@75V 1500 250 Tape and Reel 3 SOT-23 SOT No No Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No No
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET N Single Enhancement 1 800 20 3.5 6 900@10V 15@10V 62 2.8 15 45000 350@500V 770@10V Tube 3 TO-220 TO No No No No EAR99 No No
SCREWCLAMPEASY750GEXOXA1 Screw Clamp Easy750 IGBT-Module
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Infineon Technologies AG Module IGBT No No No EAR99 No
AIMDQ75R020M1HXUMA1 Trans MOSFET N-CH SiC 750V 81A 22-Pin HDSOP EP T/R
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Bout de bobine coupée
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET SiC N Single Ten Source Eleven Drain Enhancement 1 750 23 81 27@18V 67@18V 326000 2217@500V 22 HDSOP EP SO EAR99 No
IRFZ44VZPBF Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Par unité
$2.23
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$2.23
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET Si N Single Enhancement 1 60 ±20 4 57 12@10V 43@10V 62 1.64 43 92000 1870 1690@25V 9.6@10V HEXFET Tube 3 TO-220AB TO No Unknown No No No No EAR99 Yes Yes
BSC010NE2LSIATMA1 Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
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Stock 238
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 25 20 2 38 1.05@10V 29@4.5V|59@10V 50 20 59 2500 1800 4200@12V 0.9@10V|1.1@4.5V Tape and Reel Unknown 8 TDSON EP SON No Yes No No No No EAR99 Yes Yes
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Par unité
$2.44
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$168.08
Qté par unité de 1
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$168.08
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AIMZA75R140M1HXKSA1 Trans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Stock 240
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Par unité
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET SiC N Single Dual Source Enhancement 1 750 23 16 182@18V 13@18V 86000 351@500V Tube 4 TO-247 TO Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 No
IRF7739L1TRPBF Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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$2.44
Qté par unité de 1pieces.
Stock 3 988
De $2.44 à $5.79
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET Si N Single Hex Drain Octal Source Enhancement 1 40 ±20 4 46 1@10V 220@10V 40 220 3800 11880@25V 0.7@10V Tape and Reel 15 Direct-FET L8 No No No No No EAR99 No
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Qté par unité de 1
Stock 288
De $9.424 à $10.065
Par unité
Prêt à être expédié le lendemain
Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET SiC N Single Hex Source Enhancement 1 650 23 64 30@18V 67@18V 300000 2288@400V Tape and Reel 8 TO-263 TO No Unknown Yes Unknown EAR99 No No
IPT65R190CFD7XTMA1 Trans MOSFET N-CH 700V 16A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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1+
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Stock 2 000
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$2.276
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Qté par unité de 1
Stock 100
De $2.276 à $2.778
Par unité
Prêt à être expédié le lendemain
Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 60 20 42 0.9@10V 120@10V 120 3000 9000@30V 8 WHSON EP Unknown Yes Unknown EAR99 Yes Yes
IGB15N65S5ATMA1 Trans IGBT Chip N-CH 650V 35A 105W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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$2.13
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$1.36
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$1.34
Qté par unité de 1pieces.
Stock 980
De $1.34 à $2.13
Par unité
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Infineon Technologies AG Puce IGBT Trench Stop 5 N Single ±20 650 35 105 Tape and Reel 3 D2PAK TO No No No No EAR99 Yes Yes
IAUCN04S7L019ATMA1 Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
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De $0.3971 à $0.634
Par unité
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Infineon Technologies AG MOSFET Power MOSFET N Single Quad Drain Triple Source Enhancement 1 40 ±16 144 1.92@10V 29@10V 29 75000 1929@20V Tape and Reel 8 TDSON EP Yes AEC-Q101 Yes Unknown EAR99 Yes Yes

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