| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Single Triple Source |
| Technologie de traitement | DTMOSIV |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 600 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±30 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 3.7 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 30.8 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 1000 |
| IDSS maximal (uA) | 10 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 98@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 86@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 86 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 3000@300V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 240000 |
| Temps de descente type (ns) | 8.5 |
| Temps de montée type (ns) | 32 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.85 |
| Largeur du paquet | 8 |
| Longueur du paquet | 8 |
| Carte électronique changée | 5 |
| Nom de lemballage standard | DFN |
| Conditionnement du fournisseur | DFN EP |
| Décompte de broches | 5 |
| Forme de sonde | No Lead |
