| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| NRND | |
| 8541.21.00.95 | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single | |
| Enhancement | |
| P | |
| 1 | |
| 60 | |
| ±20 | |
| 19 | |
| 60@10V | |
| 26@10V | |
| 26 | |
| 1140@25V | |
| 2700 | |
| 30 | |
| 9 | |
| 65 | |
| 8 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 2.39(Max) mm |
| Largeur du paquet | 6.22(Max) mm |
| Longueur du paquet | 6.73(Max) mm |
| Carte électronique changée | 2 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | DPAK |
| 3 |
Create an effective common drain amplifier using this SUD19P06-60L-E3 power MOSFET from Vishay. Its maximum power dissipation is 2700 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with TrenchFET technology.
| EDA / CAD Models |
Des dispositifs médicaux alimentés par l'IA
Livre blanc Arrow : conseils et informations sur l'IA pour la conception de solutions de diagnostic & thérapie rapides et sûres.