| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Single Triple Drain Dual Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 12 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±8 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 1 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 7 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 1 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 18@4.5V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 5.4@4.5V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 600@6V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2900 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -50 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.3 mm |
| Largeur du paquet | 1 mm |
| Longueur du paquet | 1.5 mm |
| Carte électronique changée | 6 |
| Nom de lemballage standard | CSP |
| Conditionnement du fournisseur | WCSP-C |
| Décompte de broches | 6 |
