| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 20 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±10 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 1.2 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 2.4 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 65@4V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 2.2@4V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 200@10V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 800 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.7 mm |
| Largeur du paquet | 1.7 mm |
| Longueur du paquet | 2 mm |
| Carte électronique changée | 5 |
| Conditionnement du fournisseur | UFV |
| Décompte de broches | 5 |
