| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 20 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±8 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 8 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 1 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 24@4.5V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 11@4.5V|12@5V |
| Barrière type pour drainer la charge (nC) | 1.1 |
| Barrière type à la source de la charge (nC) | 1.8 |
| Charge de récupération inverse type (nC) | 6 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 1065@10V |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 70@10V |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 0.45 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 150 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2000 |
| Temps de descente type (ns) | 10 |
| Temps de montée type (ns) | 15 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 43 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 5 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 8 |
| Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A) | 20 |
| Tension type directe de diode (V) | 0.75 |
| Temps inverse de recouvrement type (ns) | 15 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 1.2 |
| Résistance de barrière minimale (Ohm) | 0.4 |
| Résistance de barrière maximale (Ohm) | 4.4 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1(Max) |
| Largeur du paquet | 1.65 |
| Longueur du paquet | 3.05 |
| Carte électronique changée | 6 |
| Nom de lemballage standard | SO |
| Conditionnement du fournisseur | TSOP |
| Décompte de broches | 6 |
