| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | P |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 60 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 175 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 36 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 41@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 16@4.5V|35@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 35 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 1850@30V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 62000 |
| Temps de descente type (ns) | 32 |
| Temps de montée type (ns) | 18 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 125 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 13 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Échelle de température du fournisseur | Automotive |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.05(Max) |
| Largeur du paquet | 3.4(Max) |
| Longueur du paquet | 3.4(Max) |
| Carte électronique changée | 8 |
| Conditionnement du fournisseur | DFN EP |
| Décompte de broches | 8 |
