| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single Dual Source | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 500 | |
| ±30 | |
| 50 | |
| 85@10V | |
| 150@10V | |
| 150 | |
| 9700@25V | |
| 625000 | |
| 22 | |
| 25 | |
| 85 | |
| 30 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Installation | Screw |
| Hauteur du paquet | 9.6(Max) |
| Largeur du paquet | 25.42(Max) |
| Longueur du paquet | 38.23(Max) |
| Carte électronique changée | 4 |
| Nom de lemballage standard | SOT |
| Conditionnement du fournisseur | SOT-227B |
| 4 | |
| Forme de sonde | Screw |
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation's IXFN64N50P power MOSFET. Its maximum power dissipation is 625000 mW. This device utilizes polar hiperfet technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
| EDA / CAD Models |
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