| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| COMPONENTS | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| Single Dual Source | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 800 | |
| ±30 | |
| 53 | |
| 140@10V | |
| 250@10V | |
| 250 | |
| 18000@25V | |
| 1040000 | |
| 26 | |
| 29 | |
| 110 | |
| 36 | |
| -55 | |
| 150 | |
| Installation | Screw |
| Hauteur du paquet | 9.6(Max) mm |
| Largeur du paquet | 25.42(Max) mm |
| Longueur du paquet | 38.23(Max) mm |
| Carte électronique changée | 4 |
| Nom de lemballage standard | SOT |
| Conditionnement du fournisseur | SOT-227B |
| 4 | |
| Forme de sonde | Screw |
This IXFN60N80P power MOSFET from Ixys Corporation can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 1040000 mW. This device utilizes hiperfet technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
| EDA / CAD Models |
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