| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 100 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 4 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 180 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 4.5@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 150@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 150 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 9620@50V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 370000 |
| Temps de descente type (ns) | 88 |
| Temps de montée type (ns) | 67 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 78 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 25 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Emballage | Tube |
| Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm) | 3.7@10V |
