| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Obsolete |
| Code HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Single Quad Drain Dual Source |
| Technologie de traitement | HEXFET |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 25 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 2.35 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 32 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 500 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 1.8@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 35@4.5V |
| Barrière type pour drainer la charge (nC) | 10 |
| Barrière type à la source de la charge (nC) | 8.8 |
| Charge de récupération inverse type (nC) | 34 |
| Charge de commutation type (nC) | 14.8 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 4280@13V |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 550@13V |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 1.35 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 1280 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2800 |
| Temps de descente type (ns) | 11 |
| Temps de montée type (ns) | 27 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 16 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 16 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm) | 1.4@10V|2.4@4.5V |
| Dissipation de puissance maximale sur PCB @ TC=25°C (W) | 2.8 |
| Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A) | 250 |
| Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W) | 45 |
| Tension de plateau de barrière type (V) | 2.9 |
| Temps inverse de recouvrement type (ns) | 27 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 0.75 |
| Tension seuil de barrière type (V) | 1.8 |
| Résistance de barrière maximale (Ohm) | 2.2 |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 20 |
| Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A) | 32 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.53(Max) |
| Largeur du paquet | 5.05(Max) |
| Longueur du paquet | 5.45(Max) |
| Carte électronique changée | 7 |
| Conditionnement du fournisseur | Direct-FET MX |
| Décompte de broches | 7 |
| Forme de sonde | No Lead |
