NexperiaGAN041-650WSBQMOSFET
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Transistors à effet de champ (FET) de puissance au nitrure de gallium (GaN) de 2e génération (H2)
Transistors à effet de champ (FET) haute puissance, efficaces et effectifs
Le nouveau GAN041-650WSB étend le répertoire du nitrure de Nexperia. Le transistor à effet de champ (FET) offre non seulement des améliorations en termes de performances, mais aussi une efficicacité de qualité 80 Plus Titanium, répondant aux nouvelles exigences d’alimentation de serveur de l’UE.
Principales caractéristiques :
• Recharge inversée ultra faible
• Commande de grille simple (de 0 V à + de 10 V ou 12 V)
• Oxyde de grille robuste (±20 V de capacité)
• Haute tension de seuil de grille (+4 V) pour une très bonne immunité de rebondissement de grille
• Très faible tension drain-source en mode de conduction inversée
• Capacité de surtension transitoire
Applications :
• Convertisseurs de commutation logiciels et matériels
• PFC totem-pôle sans pont
• Convertisseurs PV et UPS
• Commandes de servomoteur
Ressources :
Brochure :
• Nexperia GaN FETs - Performance, efficiency, reliability
Livres blancs :
• Power GaN technology: the need for efficient power conversion
• 650 V GaN FET technology delivers the best efficiency, and the robustness
needed for AEC-Q101 qualification
Consignes d’utilisation :
• Understanding Power GaN FET data sheet parameters
• Circuit design and PCB layout recommendations for GaN FET half bridges
• Probing considerations for fast switching applications
• Power GaN technology: the need for efficient power conversion
Notice technique :
• An insight into Nexperia Power GaN technology – Applications, quality, reliability and scalability
Vidéos:
• Nexperia GaN FETs
• Moving from silicon to GaN: Design considerations - Quick Learning
• How to read a GaN FET datasheet - Quick Learning
• Cascode Vs E-Mode: which to use in your Power GaN FET? - Quick Learning
• Benefits of using power GaN FETs in Solar inverters – Quick Learning
• Using GaN FETs in 80 plus titanium power supply units – Quick Learning
| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.55 | |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| GaN | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 650 | |
| 20 | |
| -55 to 175 | |
| 47.2 | |
| 41@10V | |
| 22@10V | |
| 1500@400V | |
| 187000 | |
| 17 | |
| 14 | |
| 36 | |
| 14 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Tube | |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 21.08(Max) |
| Largeur du paquet | 5.16(Max) |
| Longueur du paquet | 16.03(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-247 |
| 3 |
| EDA / CAD Models |
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