| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Obsolete |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N|P |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 30 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 7@N Channel|5@P Channel |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 1 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 28@10V@N Channel|52@10V@P Channel |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 11.4@10V@N Channel|9.6@10V@P Channel |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 11.4@N Channel|9.6@P Channel |
| Barrière type pour drainer la charge (nC) | 2.1@N Channel|1.7@P Channel |
| Barrière type à la source de la charge (nC) | 1.7@N Channel|2.2@P Channel |
| Charge de récupération inverse type (nC) | 9@N Channel|6@P Channel |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 575@15V@N Channel|528@15V@P Channel |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 2.1@15V@N Channel|6@15V@P Channel |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 1 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 145@N Channel|132@P Channel |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2000 |
| Temps de descente type (ns) | 3@N Channel|9@P Channel |
| Temps de montée type (ns) | 5@N Channel|13@P Channel |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 23@N Channel|14@P Channel |
| Délai type de mise en marche (ns) | 8@N Channel|7@P Channel |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm) | 24@4.5V|19@10V@N Channel65@4.5V|42@10V@P Channel |
| Dissipation de puissance maximale sur PCB @ TC=25°C (W) | 1.6 |
| Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A) | 20 |
| Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W) | 135 |
| Tension type directe de diode (V) | 0.75@N Channel|0.88@P Channel |
| Tension de plateau de barrière type (V) | 3@N Channel |
| Temps inverse de recouvrement type (ns) | 19 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 1.2 |
| Tension seuil de barrière type (V) | 1.9@N Channel|1.7@P Channel |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 20 |
| Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A) | 7@N Channel|5@P Channel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.5(Max) |
| Largeur du paquet | 3.9 |
| Longueur du paquet | 4.9 |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | SO |
| Conditionnement du fournisseur | SOIC |
| Décompte de broches | 8 |
| Forme de sonde | Gull-wing |
