| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Dual Dual Source |
| Technologie de traitement | TMOS |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N|P |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 150 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20@N Channel|±25@P Channel |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 4 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 2.4@N Channel|0.9@P Channel |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 1 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 155@10V@N Channel|1200@10V@P Channel |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 4.4@10V@N Channel|2.9@10V@P Channel |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 4.4@N Channel|2.9@P Channel |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 279@75V@N Channel|162@75V@P Channel |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 1900 |
| Temps de descente type (ns) | 2.2@N Channel|6.3@P Channel |
| Temps de montée type (ns) | 1.3@N Channel|1.6@P Channel |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 9.1@N Channel|7.4@P Channel |
| Délai type de mise en marche (ns) | 5.4@N Channel|5.2@P Channel |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.75(Max) |
| Largeur du paquet | 3 |
| Longueur du paquet | 3 |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | DFN |
| Conditionnement du fournisseur | WDFN EP |
| Décompte de broches | 8 |
