| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Dual |
| Technologie de traitement | 0.18um to 2um |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N|P |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 30 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±16@N Channel|±25@P Channel |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 2.5@N Channel|2@P Channel |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 1 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 95@10V@N Channel|130@10V@P Channel |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 4.7@10V@N Channel|4.1@10V@P Channel |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 4.7@N Channel|4.1@P Channel |
| Barrière type pour drainer la charge (nC) | 0.6@N Channel|0.4@P Channel |
| Barrière type à la source de la charge (nC) | 0.9@N Channel|0.8@P Channel |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 282@15V@N Channel|185@15V@P Channel |
| Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 20@15V@N Channel|26@15V@P Channel |
| Tension seuil de barrière minimale (V) | 1 |
| Capacitance type de sortie (pF) | 49@N Channel|56@P Channel |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 960 |
| Temps de descente type (ns) | 1.5@N Channel|2@P Channel |
| Temps de montée type (ns) | 6@N Channel|13@P Channel |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 19@N Channel|11@P Channel |
| Délai type de mise en marche (ns) | 4.5 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm) | 73@10V|90@4.5V@N Channel|95@10V|142@4.5V@P Channel |
| Dissipation de puissance maximale sur PCB @ TC=25°C (W) | 0.96 |
| Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A) | 8 |
| Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W) | 180 |
| Tension type directe de diode (V) | 0.8 |
| Tension de plateau de barrière type (V) | 2.8 |
| Tension maximale directe de diode (V) | 1.2 |
| Tension seuil de barrière type (V) | 1.8 |
| Tension maximale de source barrière positive (V) | 16@N Channel|25@P Channel |
| Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A) | 2.5@N Channel|2@P Channel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.85 mm |
| Largeur du paquet | 1.5 mm |
| Longueur du paquet | 2.95 mm |
| Carte électronique changée | 6 |
| Nom de lemballage standard | SOT |
| Conditionnement du fournisseur | TSOT-23 |
| Décompte de broches | 6 |
| Forme de sonde | Gull-wing |
