| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Dual Common Drain |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 24 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±12 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 1.3 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 6 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 10000 |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 29@4.5V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 2564@10V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 1450 |
| Temps de descente type (ns) | 29 |
| Temps de montée type (ns) | 20 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 75 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 10 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.2 mm |
| Largeur du paquet | 1.79 mm |
| Longueur du paquet | 1.79 mm |
| Carte électronique changée | 4 |
| Conditionnement du fournisseur | X1-WLB |
| Décompte de broches | 4 |
| Forme de sonde | Ball |
