| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Unknown |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 20 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±12 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 9.4 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 14@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 17.9@4.5V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 1810@10V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2000 |
| Temps de descente type (ns) | 7.7 |
| Temps de montée type (ns) | 5.9 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 44 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 3.3 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm) | 11@10V|12.6@4.5V|16.5@2.5V|23.4@1.8V |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.5 |
| Largeur du paquet | 3.9 |
| Longueur du paquet | 4.9 |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | SO |
| Conditionnement du fournisseur | SOIC |
| Décompte de broches | 8 |
| Forme de sonde | Gull-wing |
