InfineonのOptiMOS™ 6ファミリーで設計を強化
インフィニオンの先進技術、優れた性能、そして向上したエネルギー効率 - 持続可能な未来のために!
InfineonのOptiMOS™テクノロジーは長年にわたり進化を続けており、現在ではOptiMOS™ 6パワーMOSFETシリーズとして第6世代に到達しました。この先進的な技術により、スイッチング損失や導通損失、電流性能が大幅に改善されています。これらの改善により、システム損失の低減、電力密度の向上、基板温度の改善、そして全体的なシステム信頼性の向上が実現します。 その結果、OptiMOS™ 6パワーMOSFETは、通信、太陽光発電、SMPS、および再生可能エネルギーなどの多様な用途に理想的な選択肢となります。導通抵抗RDS(on) や品質因子の顕著な改善により、電動工具、低速車両、ドローン、ロボット、バッテリーマネジメント用途など、バッテリー駆動のアプリケーションにも適しています。 お客様の個々の設計要件に対応するため、このシリーズはPQFN 3.3x3.3、SuperSO8、D²PAK 3ピン、D²PAK 7ピン、TO-Leadless、sTOLL、TOLT、TOLG、TO-220など、さまざまなパッケージオプションを提供しています。
| MOSFETシリーズ | 主な特徴 | 主な用途 |
| OptiMOS™ 6 40 V |
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| OptiMOS™ 6 100 V | OptiMOS™ 5テクノロジーと比較して:
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| OptiMOS™ 6 120 V |
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| OptiMOS™ 6 135 V |
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| OptiMOS™ 6 200 V | 従来の技術と比較して:
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最新のアプリケーションノートを読む: 新しいOptiMOS™ 6 200 VファミリーのMOSFET - 新しい業界標準を設定する最新のInfineonトレンチMOSFET技術
Infineonの最新のトレンチMOSFET技術であるOptiMOS™ 6 200 Vは、革新的なセル設計を活用することで登場しました。これにより、非常に低いオン抵抗RDS(on)の達成、低いダイオード逆回復、および優れたスイッチング性能の利点が融合されています。これらの特長により、OptiMOS™ 6 200 Vはモータードライブなど、低スイッチング周波数アプリケーションに最適となります。まず、この技術について簡潔に紹介し、その技術的利点を強調します。次に、OptiMOS™ 6 200 Vを前世代のOptiMOS™ 3 200 V MOSFETと比較した幅広い実験的評価が行われます。
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