Nexperia, le spécialiste des semi-conducteurs essentiels, a annoncé l’arrivée de sa nouvelle gamme de transistors à effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN). Celle-ci comprend une nouvelle génération de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) haute tension utilisant le dihydrogène (H2) comme gaz porteur. Ces HEMT GaN H2 sont disponibles à la fois dans des boîtiers TO-247 et dans des boîtiers CCPAK exclusifs à montage en surface. Ce nouveau portefeuille de produits propose également d’innovants redresseurs au silicium-germanium (SiGe) avec des tensions inverses de 120 V, 150 V et 200 V qui combinent les hautes performances de leurs homologues Schottky et la stabilité thermique des diodes de récupération rapide.
Transistors FET GaN (H2) de 2e génération
Transistors FET de haute puissance et de hautes performances
Nexperia étend sa gamme au nitrure de gallium avec le nouveau GAN041-650WSB, qui offre des performances améliorées et la certification 80 Plus Titanium, répondant aux dernières exigences européennes en matière de rendement des alimentations pour serveurs. Le nitrure de gallium s’adresse aussi à des applications industrielles et automobiles, dans lesquelles l’efficacité de conversion d’alimentation et la densité d’alimentation jouent un rôle crucial pour leur adoption sur le marché ; les transistors FET au nitrure de gallium permettent des systèmes plus compacts, plus rapides et plus légers, le tout pour un coût de système global plus bas.
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les performances, l’efficacité et la fiabilité des transistors FET GaN
Gamme de produits GaN de Nexperia
Caractéristiques principales :
• Charge de récupération inverse capacitive ultra-faible
• Entraînement de grille simple (de 0 V à 10 V ou 12 V)
• Oxyde de grille robuste (capacité de ±20 V)
• Tension de seuil de grille élevée (+4 V) pour une excellente immunité contre les rebonds
• Tension source-drain ultra-faible en mode de conduction inversée
• Excellente capacité de surtension transitoire
Applications :
• Convertisseurs à découpage, conçus pour les logiciels et le matériel, pour l’alimentation dans l’industrie et la connectique
• Correction de facteur de puissance de topologie totem pole sans pont
• Onduleurs photovoltaïques et UPS
• Entraînement par servomoteur
Redresseurs au silicium-germanium (SiGe)
Redresseurs hautes performances, à la pointe de l’innovation, offrant une stabilité thermique et un faible encombrement.
Les redresseurs SiGe de Nexperia combinent les hautes performances des redresseurs Schottky et la stabilité thermique des diodes de récupération rapide. Conçus pour les marchés de l’automobile et des serveurs ainsi que pour les infrastructures de communication, ces redresseurs sont conformes à la norme AEC-Q101 en plus d’être particulièrement performants dans des applications à températures élevées. Ces dispositifs à faible courant de fuite étendent la zone de fonctionnement sécurisée en évitant tout emballement thermique jusqu’à 175 °C. En parallèle, ils offrent plus d’espace pour optimiser votre conception et augmenter ses performances. 
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les redresseurs SiGe
Gamme de produits SiGe de Nexperia
Caractéristiques principales
• Régulateur de tension de 120 V, 150 V, 200 V
• Régulateur d’intensité de 1, 2, 3 A
• Faible tension directe et faible charge de récupération inverse (Qrr)
• Courant de fuite ultra-faible inférieur à 1 nA
• Stabilité thermique jusqu’à une température de jonction de 175 °C
• Commutation rapide et fluide
• Faible capacité parasite
• Conforme à la norme AEC-Q101
• Boîtier CFP robuste, à faible encombrement
Avantages
• Hautes performances
• Zone de fonctionnement sécurisée étendue
Applications
• Industrie automobile, notamment pour l’éclairage LED ou les unités de contrôle du moteur
• Infrastructure de communication
• Alimentation serveur