| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 900 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±30 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 4 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 9 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 1000 |
| IDSS maximal (uA) | 10 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 1300@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 46@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 46 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 2000@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 250000 |
| Temps de descente type (ns) | 35 |
| Temps de montée type (ns) | 40 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 19 mm |
| Largeur du paquet | 4.5 mm |
| Longueur du paquet | 15.9(Max) mm |
| Carte électronique changée | 3 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-3PN |
| Décompte de broches | 3 |
