| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | EA |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | Si |
| Configuration | Dual Common Drain Hex Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±8 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 76@4V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2440 |
| Temps de descente type (ns) | 2100 |
| Temps de montée type (ns) | 1300 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 3800 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 1 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.09 mm |
| Largeur du paquet | 2.74 mm |
| Longueur du paquet | 3 mm |
| Carte électronique changée | 14 |
| Conditionnement du fournisseur | TCSPED |
| Décompte de broches | 14 |
