| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single Triple Source |
| Technologie de traitement | 3800nm |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 200 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 2.5 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 13 |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 1 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 145@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 56@10V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 56 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 1990@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 68000 |
| Temps de descente type (ns) | 8 |
| Temps de montée type (ns) | 5 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 33 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 14 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Échelle de température du fournisseur | Automotive |
| Emballage | Tape and Reel |
