| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 800 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±30 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 15 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 29@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 41@10V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 1260@100V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 179000 |
| Temps de descente type (ns) | 31 |
| Temps de montée type (ns) | 23 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 45 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 21 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
