| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | SiC |
| Configuration | Single Quint Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 1700 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 22 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 175 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 3.9 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 1500@18V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 24@18V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 197@800V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 39000 |
| Temps de descente type (ns) | 32 |
| Temps de montée type (ns) | 25 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 24 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 12 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
