| RoHS (Union Européenne) | Not Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.10.00.80 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Type | Switching Diode |
| Matériau | Si |
| Configuration | Single |
| Tension inverse répétitive de crête (V) | 1200 |
| Courant avant continu maximal (A) | 150 |
| Courant de surcharge de crête non répétitif (A) | 2500 |
| Tension directe de crête (V) | 1.1@200A |
| Courant inverse de crête (uA) | 50 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -65 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 200 |
| Emballage | Tray |
| Installation | Stud |
| Hauteur du paquet | 35.17(Max) mm |
| Largeur du paquet | 26.92(Max) mm |
| Longueur du paquet | 31.07(Max) mm |
| Carte électronique changée | 2 |
| Nom de lemballage standard | DO |
| Conditionnement du fournisseur | DO-8 |
| Décompte de broches | 2 |
| Forme de sonde | Terminal Stud |
