| RoHS (Union Européenne) | Compliant with Exemption |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Matériau | SiC |
| Configuration | Dual |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 1200 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 22 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 284 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 5.5@18V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 876@20V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 16410@800V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 785000 |
| Temps de descente type (ns) | 15 |
| Temps de montée type (ns) | 15 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 127 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 49 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Installation | Screw |
| Hauteur du paquet | 12 |
| Largeur du paquet | 56.7 |
| Longueur du paquet | 62.8 |
| Carte électronique changée | 36 |
| Conditionnement du fournisseur | PIM |
| Décompte de broches | 36 |
