| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Dual Quad Drain |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 40 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 15 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 7.4@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 16@10V|7@4.5V |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 16 |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 997@25V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 3000 |
| Temps de descente type (ns) | 60 |
| Temps de montée type (ns) | 67 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 26 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 10 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Échelle de température du fournisseur | Automotive |
