| RoHS (Union Européenne) | Compliant with Exemption |
| Statut de pièce | Active |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain Quad Source |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension drain-source maximale (V) | 25 |
| Tension minimale de source barrière (V) | 16 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Courant de drain continu maximal (A) | 310 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 0.58@10V |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 25@4.5V|33@6V|55@10V |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 3980@12V |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 87000 |
| Temps de descente type (ns) | 57 |
| Temps de montée type (ns) | 6 |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 26 |
| Délai type de mise en marche (ns) | 4 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
